Зображення обкладинки

The effect of the electric field on the nucleation of the nanometer periodic structure of adatoms in GaAs semiconductor under the action of laser irradiation

In the paper, the effect of the electric field on the conditions of formation and on the period of the surface superlattice of adatoms in n-GaAs semiconductor is investigated. It is established that in GaAs semiconductor, an increase in the electric field strength, depending on the directio...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в:	Condensed Matter Physics
Дата:	2019
ISSN:	1607-324X
Автори:	Peleshchak, R.M., Kuzyk, O.V., Dan'kiv, O.O., Guba, S.K.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики конденсованих систем НАН України 2019
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/157479
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	The effect of the electric field on the nucleation of the nanometer periodic structure of adatoms in GaAs semiconductor under the action of laser irradiation / R.M. Peleshchak, O.V. Kuzyk, O.O. Dan'kiv, S.K. Guba // Condensed Matter Physics. — 2019. — Т. 22, № 1. — С. 13801: 1–15. — Бібліогр.: 26 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Temperature regimes of formation of nanometer periodic structure of adsorbed atoms in GaAs semiconductors under the action of laser irradiation
за авторством: Peleshchak, R.M., та інші
Опубліковано: (2015)

Частотна модуляція рекомбінаційного випромінювання гетероструктури InAs/GaAs з квантовими точками InAs під впливом акустичної хвилі
за авторством: Peleshchak, R.M., та інші
Опубліковано: (2022)

Non-linear model of impurity diffusion in nanoporous materials upon ultrasonic treatment
за авторством: Peleshchak, R.M., та інші
Опубліковано: (2014)

Енергетичний спектр електронів у тришаровій гетеросистемі із самоорганізованими дефектно-деформаційними структурами
за авторством: Peleshchak, R.M., та інші
Опубліковано: (2012)

Модуляція напрямку випромінювання гетеролазера з квантовими точками InAs під впливом акустичної хвилі
за авторством: Peleshchak, R.M., та інші
Опубліковано: (2012)

Influence of impurity on electronic transition in coherent-strained quantum dot
за авторством: Dan'kiv, O.O., та інші
Опубліковано: (2006)

Modulation of the direction of radiation emitted by an InAs/GaAs heterolaser with InAs quantum dots under the influence of acoustic wave
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2012)

Modulation of the direction of radiation emitted by an InAs/GaAs heterolaser with InAs quantum dots under the influence of acoustic wave
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2012)

Формування перiодичних структур пiд впливом акустичної хвилi у напiвпровiдниках з двокомпонентною дефектною пiдсистемою
за авторством: Peleshchak, R. M., та інші
Опубліковано: (2019)

Effect of γ-irradiation on the structure of high density polyethylene composites with GaAs and GaAs<Te> fillers
за авторством: Gadzhieva, N.N., та інші
Опубліковано: (2020)

Electrophysical characteristics of GaAs₁₋ₓPₓ LEDs irradiated by 2 MeV electrons
за авторством: Vernydub, R.M., та інші
Опубліковано: (2020)

Formation of periodic structures under the influence of an acoustic wave in semiconductors with a two-component defect subsystem
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2016)

Formation of periodic structures under the influence of an acoustic wave in semiconductors with a two-component defect subsystem
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2016)

Periodic subsurface structures in GaAs formed by spatially modulated nanosecond pulse laser irradiation
за авторством: Moscal, D.S., та інші
Опубліковано: (2007)

Adatom interaction effects in surface diffusion
за авторством: Gaididei, Yu.B., та інші
Опубліковано: (2013)

Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)

Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)

Electron- and hole-phonon interaction in quantum dot embedded into semiconductor medium (GaAs/AlxGa₁₋xAs)
за авторством: Tkach, M.V., та інші
Опубліковано: (2001)

GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)

A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs
за авторством: Sghaier, H., та інші
Опубліковано: (2012)

Electrophysical characteristics of GaAs1-xPx LEDs irradiated by 2 MeV electrons
за авторством: R. M. Vernydub, та інші
Опубліковано: (2020)

Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)

Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2000)

GaAs диоды Ганна с AlAs-GaAs-AlAs резонансно туннельным катодом
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2006)

Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)

Instability of homogeneous composition of highly strained quantum wells in heterostructures GaAs/InxGa₁₋xAs/GaAs
за авторством: Klimovskaya, A.I., та інші
Опубліковано: (2002)

Graphenes and CNTs: adatoms, islands, nanocrystals, and intercalants as interacting multipoles
за авторством: V. A. Lykah, та інші
Опубліковано: (2020)

Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: M. M. Vinoslavskii, та інші
Опубліковано: (2018)

Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vinoslavskii, M.M., та інші
Опубліковано: (2018)

Structure changes in InP and GaAs crystals double irradiated with electrons and swift heavy ions
за авторством: Didyk, A., та інші
Опубліковано: (2007)

TiB₂/GaAs and Au-TiB₂/GaAs structural transformations at short-term thermal treatment
за авторством: Kryshtab, T.G., та інші
Опубліковано: (1999)

Optical properties of GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs quantum dot with off-central impurity driven by electric field
за авторством: Holovatsky, V.A., та інші
Опубліковано: (2018)

Laser-stimulated enhancement of the reflectance of single-crystalline n-GaAs(100)
за авторством: P. O. Hentsar, та інші
Опубліковано: (2017)

Laser-stimulated enhancement of the reflectance of single-crystalline n-GaAs(100)
за авторством: P. O. Gentsar, та інші
Опубліковано: (2017)

Experimental study and theoretical analysis of photoelectric characteristics of AlxGa₁₋xAs–p-GaAs–n-GaAs-based photoconverters with relief interfaces
за авторством: Dmitruk, N.L., та інші
Опубліковано: (2005)

Band effect in vibrational dephasing of adatoms bound to surface by central forces
за авторством: Rozenbaum, V. M., та інші
Опубліковано: (2001)

Optical characterization of pseudomorphic AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures
за авторством: Zhuchenko, Z.Ya., та інші
Опубліковано: (1999)

Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2007)

Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна
за авторством: Аркуша, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2004)

Complex diffractometrical investigation of structural and compositional irregularities in GaAs:Si/GaAs films heavily doped with silicon
за авторством: Datsenko, L.I., та інші
Опубліковано: (2001)