Молекулярно-динамическое моделирование процесса пайки дорожек наноразмерной шины

• Published in: Адгезия расплавов и пайка материалов
• Date: 2009
• Main Authors: Самсонов, В.М., Зыков, Д.Г.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України 2009
• Subjects: Контактное взаимодействие твердых тел на границе с твердыми и жидкими фазами
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/167456
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Молекулярно-динамическое моделирование процесса пайки дорожек наноразмерной шины / В.М. Самсонов, Д.Г. Зыков // Адгезия расплавов и пайка материалов. — 2009. — Вып 42. — С. 54-62. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Пайка соседних проводящих дорожек наноразмерной шины, то есть шины с дорожками шириной порядка 1 нм, моделировалась на основе изотермической молекулярной динамики. Проводящие дорожки и диэлектрические зазоры между ними воспроизводились гетерогенной поверхностью с высоко- и низкоэнергетическими полосами соответственно. Исследована роль основных управляющих параметров: размеров капли припоя, ширины диэлектрического зазора и др. Пайка сусідніх провідних доріжок нанорозмірної шини, тобто шини з доріжками шириною порядку 1 нм, моделювалася на основі ізотермічної молекулярної динаміки. Провідні доріжки і діелектричні зазори між ними відтворювалися гетерогенною поверхнею з високо- і низькоэнергетичними смугами відповідно. Досліджено роль основних керуючих параметрів: розмірів краплі припою, ширини діелектричного зазору та ін. Soldering of neighboring conductive ways of a nanosized bus, i.e. the bus with the way width of about 1 nm, was simulated using the isothermal molecular dynamics. Conductive ways and dielectric gaps between them were reproduced by a heterogeneous surface with high- and low-energy stripes respectively. The role of main controlling parameters (the solder droplet size, the width of the dielectric gap and other) was investigated.