Титульные страницы и содержание
Збережено в:
| Дата: | 2019 |
|---|---|
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2019
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/167871 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Титульные страницы и содержание // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2019. — № 3-4. — С. 1-2. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-167871 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-1678712025-02-23T20:16:56Z Титульные страницы и содержание 2019 Article Титульные страницы и содержание // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2019. — № 3-4. — С. 1-2. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/167871 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре application/pdf Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| format |
Article |
| title |
Титульные страницы и содержание |
| spellingShingle |
Титульные страницы и содержание Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| title_short |
Титульные страницы и содержание |
| title_full |
Титульные страницы и содержание |
| title_fullStr |
Титульные страницы и содержание |
| title_full_unstemmed |
Титульные страницы и содержание |
| title_sort |
титульные страницы и содержание |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2019 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/167871 |
| citation_txt |
Титульные страницы и содержание // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2019. — № 3-4. — С. 1-2. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| first_indexed |
2025-11-25T02:04:49Z |
| last_indexed |
2025-11-25T02:04:49Z |
| _version_ |
1849726118121177088 |
| fulltext |
ТЕХНОЛОГИЯ
И
КОНСТРУИРОВАНИЕ
В
ЭЛЕКТРОННОЙ
АППАРАТУРЕ
НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ
Год издания 43-й
© Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2019.
№ 3–42019
ÑÎÄÅÐÆÀÍÈÅ
Зарегистрирован
в ВАК Украины
по разделам
«Физико-математические науки»,
«Технические науки»
Реферируется
в УРЖ «Джерело»
(г. Киев)
Журнал включен
в международную справочную
систему по периодическим
и продолжающимся изданиям
“Ulrich’s Periodicals Directory”
(США),
в международную систему
библиографических ссылок
CrossRef,
в наукометрическую базу РИНЦ,
в базу данных DOAJ,
в Google Scholar
Номер выпущен при поддержке
ОНПУ (г. Одесса),
НПП «Сатурн» (г. Киев),
НПП «Карат» (г. Ëüвов)
Одобрено к печати
Ученым советом ОНПУ
(Протокол ¹ 2 от 24.09 2019 г.)
Отв. за выпуск: Е. А. Тихонова
У×РЕДИТЕËИ
Институт физики полупровод -
ников им. В. Е. Ëаøкар¸ва
Научно-производственное
предприятие «Сатурн»
Одесскиé наöионалüныé
политехническиé университет
Издателüство «Политехпериодика»
Свидетелüство о регистраöии
¹ КВ 21788-11688ПР
от 21.12.2015 г.
3
10
19
26
31
36
44
25, 30
Íîâыå êîмïîíåíòы дëÿ ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðы
Деформаöионно-стимулированные ýффекты в микро-
структурах антимонида индия при криогенных
температурах для сенсорных применениé. À. À.
Äðóæèíèí, Ю. Í. Õîâåðêî, И. Ï. Îñòðîâñêèé,
Í. Ñ. Ëÿõ-Кàãóé, Е. À. Ïàñûíêîâà (на англиéском)
Эëåêòðîííыå ñðåдñòâà: èññëåдîâàíèÿ, ðàзðàбîòêè
Уменüøение øумов и помех путем раöионалüного
выбора ýлектронных компонентов в каналах с
сосредоточенными параметрами при высокоско-
ростноé обработке данных. À. Í. Òûíûíûêà
Эíåðãåòèчåñêàÿ ýëåêòðîíèêà
Изменения характеристик кремниевых фотоýлек-
трических преобразователеé солнечных батареé
после токовых перегрузок. À. Â. Иâàíчåíêî, À. Ñ.
Òîíêîøêóð
Ñåíñîýëåêòðîíèêà
Высокотемпературные датчики деформаöии на осно-
ве нитевидных кристаллов фосфида галлия. À. Î.
Äðóæèíèí, И. И. Ìàðüÿìîâà, À. Ï. Кóòðàêîâ (на
украинском)
Мåòðîëîãèÿ. Ñòàíдàðòèзàцèÿ
Поверхностные слои ZnSe:Ca с дырочноé прово-
димостüю. Â. Ï. Ìàõíèé, Ì. Ì. Áåðåçîâñêèé,
Î. Â. Кèíçåðñêàÿ, Â. Â. Ìåëüíèê (на англиéском)
Мàòåðèàëы ýëåêòðîíèêè
Высокоинформативныé комплексныé метод опре-
деления типа моторного масла. À. Â. Ìàìûêèí,
À. Ë. Кóêëà, Ë. Ì. Ìàòâèåíêî, À. Â. Äîðîæèíñêàÿ,
Â. Ï. Ìàñëîâ, Ã. Â. Äîðîæèíñêèé
Ðåцåíзåíòы íîмåðà
Íîâыå êíèãè
TEKHNOLOGIYA
I
KONSTRUIROVANIE
V
ELEKTRONNOI
APPARATURE
SCIENTIFIC AND TECHNICAL JOURNAL
Publication year 43rd
© Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature, 2019.
N 3–42019
ÇМ²ÑÒ ÑONTENTS
New components for electronic equipment
Deformation-induced effects in indium antimo-
nide microstructures at cryogenic temperatures
for sensor applications A. O. Druzhinin, Yu. M.
Khoverko, I. P. Ostrovskii, N. S. Liakh-Kaguy,
O. A. Pasynkova (3)
Electronic devices: research, development
Reduction of noise and interference by rational
selection of electronic components in lumped pa-
rameter channels at high speed data processing.
A. N. Tynynyka (10)
Power electronics
Changes in the characteristics of silicon photo-
voltaic cells of solar arrays after current over-
loads. A. V. Ivanchenko, A. S. Tonkoshkur (19)
Sensors
High temperature strain sensors based on gal-
lium phosphide whiskers. A. O. Druzhinin, I. I.
Maryamova, O. P. Kutrakov (26)
Materials of electronics
Surface ZnSe:Ca layers with hole conductiv-
ity. V. P. Makhniy, M. M. Berezovskiy, O. V.
Kinzerska, V. V. Melnyk (31)
Metrology, standardization
Highly informative integrated method for deter-
mining the type of engine oil. A. V. Mamykin,
A. L. Kukla, L. M. Matvienko, H. V. Dorozinska,
V. P. Maslov, G. V. Dorozinsky (36)
Íîâі êîмïîíåíòè дëÿ åëåêòðîííîї àïàðàòóðè
Деформаöіéно-стимулüовані ефекти в мікро-
структурах антимоніду індію за кріогенних
температур для сенсорних застосуванü. À. Î.
Äðóæèí³í, Ю. Ì. Õîâåðêî, ². Ï. Îñòðîâñüêèé,
Í. Ñ. Ëÿõ-Кàãóé, Î. À. Ïàñèíêîâà (3)
Åëåêòðîííі зàñîбè: дîñëіджåííÿ, ðîзðîбêè
Зменøення øумів і завад øляхом раöіоналü-
ного вибору електронних компонентів в кана-
лах з зосередженими параметрами при високо-
øвидкісніé обробöі даних. Î. Ì. Òèíèíèêà (10)
Åíåðãåòèчíà åëåêòðîíіêà
Зміни характеристик кремнієвих фотоелек-
тричних перетворювачів сонячних батареé
після струмових перевантаженü. Î. Â. ²âàí-
чåíêî, Î. Ñ. Òîíêîøêóð (19)
Ñåíñîåëåêòðîíіêà
Високотемпературні сенсори деформаöії на ос-
нові ниткоподібних кристалів фосфіду галію.
À. Î. Äðóæèí³í, ². É. Ìàð’ÿìîâà, Î. Ï.
Кóòðàêîâ (26)
Мàòåðіàëè åëåêòðîíіêè
Поверхневі øари ZnSe:Ca з дірковою про-
відністю. Â. Ï. Ìàõí³é, Ì. Ì. Áåðåçîâñüêèé,
Î. Â. К³íçåðñüêà, Â. Â. Ìåëüíèê (31)
Мåòðîëîãіÿ. Ñòàíдàðòèзàціÿ
Високоінформативниé комплексниé метод
визначення типу моторного мастила. À. Â.
Ìàìèê³í, Î. Ë. Кóêëà, Ë. Ì. Ìàò⳺íêî,
Ã. Â. Äîðîæèíñüêà, Â. Ï. Ìàñëîâ, Ã. Â.
Äîðîæèíñüêèé (36)
|