Влияние изовалентного легирования Si германием на вероятность образования примесно-дефектных комплексов в базе p⁺n структур при облучении α- частицами

• Опубліковано в: : Журнал физики и инженерии поверхности
• Дата: 2018
• Автори: Быткин, С.В., Критская, Т.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2018
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/168192
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Влияние изовалентного легирования Si германием на вероятность образования примесно-дефектных комплексов в базе p⁺n структур при облучении α- частицами / С.В. Быткин, Т.В. Критская // Журнал фізики та інженерії поверхні. — 2018. — Т. 3, № 2. — С. 57-67. — Бібліогр.: 25 назв. — рос.

Проведен расчет вероятности образования А-, Е-, К-центров в CZ nSiGe c использованием ранее полученных эмпирических S-образных зависимостей накопления примесно-дефектных комплексов от интегрального потока α-частиц. Показано, что вероятность захвата вакансий атомами междоузельного кислорода в SiGe не...