Дослідження застосувань нанотекстурованого сапфіру як темплету при MOCVD-гетероепітаксії ІІІ-нітридів
Розглянуто придатність нанотемплетів текстурованого сапфіру в процесі MOCVD III-нітридів щодо застосування в GaN-фотодіодах ультрафіолетового (УФ) діапазону і для шарів акумулювання енергії. Визначено термодинамічні параметри (температуру, тиск) і прекурсори в процесі MOCVD для утворення нанотемплет...
Saved in:
| Published in: | Реєстрація, зберігання і обробка даних |
|---|---|
| Date: | 2018 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України
2018
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/168761 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Дослідження застосувань нанотекстурованого сапфіру як темплету при MOCVD-гетероепітаксії ІІІ-нітридів / Н.О. Суховій, Н.М. Ляхова, І.В. Масол, В.І. Осінський // Реєстрація, зберігання і обробка даних. — 2018. — Т. 20, № 3. — С. 13–20. — Бібліогр.: 28 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862581610673602560 |
|---|---|
| author | Суховій, Н.О. Ляхова, Н.М. Масол, І.В. Осінський, В.І. |
| author_facet | Суховій, Н.О. Ляхова, Н.М. Масол, І.В. Осінський, В.І. |
| citation_txt | Дослідження застосувань нанотекстурованого сапфіру як темплету при MOCVD-гетероепітаксії ІІІ-нітридів / Н.О. Суховій, Н.М. Ляхова, І.В. Масол, В.І. Осінський // Реєстрація, зберігання і обробка даних. — 2018. — Т. 20, № 3. — С. 13–20. — Бібліогр.: 28 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Реєстрація, зберігання і обробка даних |
| description | Розглянуто придатність нанотемплетів текстурованого сапфіру в процесі MOCVD III-нітридів щодо застосування в GaN-фотодіодах ультрафіолетового (УФ) діапазону і для шарів акумулювання енергії. Визначено термодинамічні параметри (температуру, тиск) і прекурсори в процесі MOCVD для утворення нанотемплетів текстурованого сапфіру з радіусом нанопор (<10 нм) для формування низькодефектних гетероепітаксійних шарів ІІІ-нітридів.
Исследование применения нанотекстурированного сапфира как темплета при MOCVD-гетероэпитаксии ІІІ-нитридов.
It is considered some applications of nano-textured sapphire templates with MOCVD- III-nitride hetero-structure, namely its suitability for use in UV photodiodes and for energy storage layers, as ideally suited through its high thermal, chemical and radiation resistance due to the strong bond between nitrogen and group III atoms for space, biological, and military integrated circuits, where traditional silicon does not fit.
|
| first_indexed | 2025-11-26T23:02:24Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-168761 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1560-9189 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-11-26T23:02:24Z |
| publishDate | 2018 |
| publisher | Інститут проблем реєстрації інформації НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Суховій, Н.О. Ляхова, Н.М. Масол, І.В. Осінський, В.І. 2020-05-08T18:59:10Z 2020-05-08T18:59:10Z 2018 Дослідження застосувань нанотекстурованого сапфіру як темплету при MOCVD-гетероепітаксії ІІІ-нітридів / Н.О. Суховій, Н.М. Ляхова, І.В. Масол, В.І. Осінський // Реєстрація, зберігання і обробка даних. — 2018. — Т. 20, № 3. — С. 13–20. — Бібліогр.: 28 назв. — укр. 1560-9189 DOI: https://doi.org/10.35681/1560-9189.2018.20.3.158511 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/168761 621.382; 621.383 Розглянуто придатність нанотемплетів текстурованого сапфіру в процесі MOCVD III-нітридів щодо застосування в GaN-фотодіодах ультрафіолетового (УФ) діапазону і для шарів акумулювання енергії. Визначено термодинамічні параметри (температуру, тиск) і прекурсори в процесі MOCVD для утворення нанотемплетів текстурованого сапфіру з радіусом нанопор (<10 нм) для формування низькодефектних гетероепітаксійних шарів ІІІ-нітридів. Исследование применения нанотекстурированного сапфира как темплета при MOCVD-гетероэпитаксии ІІІ-нитридов. It is considered some applications of nano-textured sapphire templates with MOCVD- III-nitride hetero-structure, namely its suitability for use in UV photodiodes and for energy storage layers, as ideally suited through its high thermal, chemical and radiation resistance due to the strong bond between nitrogen and group III atoms for space, biological, and military integrated circuits, where traditional silicon does not fit. uk Інститут проблем реєстрації інформації НАН України Реєстрація, зберігання і обробка даних Реєстрація, зберігання і обробка даних Фізичні основи, принципи та методи реєстрації даних Дослідження застосувань нанотекстурованого сапфіру як темплету при MOCVD-гетероепітаксії ІІІ-нітридів A study of applications of nanotexturized sapphire as a template for MOCVD-heteroepitaxy of III-nitrides Article published earlier |
| spellingShingle | Дослідження застосувань нанотекстурованого сапфіру як темплету при MOCVD-гетероепітаксії ІІІ-нітридів Суховій, Н.О. Ляхова, Н.М. Масол, І.В. Осінський, В.І. Фізичні основи, принципи та методи реєстрації даних |
| title | Дослідження застосувань нанотекстурованого сапфіру як темплету при MOCVD-гетероепітаксії ІІІ-нітридів |
| title_alt | A study of applications of nanotexturized sapphire as a template for MOCVD-heteroepitaxy of III-nitrides |
| title_full | Дослідження застосувань нанотекстурованого сапфіру як темплету при MOCVD-гетероепітаксії ІІІ-нітридів |
| title_fullStr | Дослідження застосувань нанотекстурованого сапфіру як темплету при MOCVD-гетероепітаксії ІІІ-нітридів |
| title_full_unstemmed | Дослідження застосувань нанотекстурованого сапфіру як темплету при MOCVD-гетероепітаксії ІІІ-нітридів |
| title_short | Дослідження застосувань нанотекстурованого сапфіру як темплету при MOCVD-гетероепітаксії ІІІ-нітридів |
| title_sort | дослідження застосувань нанотекстурованого сапфіру як темплету при mocvd-гетероепітаксії ііі-нітридів |
| topic | Фізичні основи, принципи та методи реєстрації даних |
| topic_facet | Фізичні основи, принципи та методи реєстрації даних |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/168761 |
| work_keys_str_mv | AT suhovíino doslídžennâzastosuvanʹnanoteksturovanogosapfíruâktempletuprimocvdgeteroepítaksííííínítridív AT lâhovanm doslídžennâzastosuvanʹnanoteksturovanogosapfíruâktempletuprimocvdgeteroepítaksííííínítridív AT masolív doslídžennâzastosuvanʹnanoteksturovanogosapfíruâktempletuprimocvdgeteroepítaksííííínítridív AT osínsʹkiiví doslídžennâzastosuvanʹnanoteksturovanogosapfíruâktempletuprimocvdgeteroepítaksííííínítridív AT suhovíino astudyofapplicationsofnanotexturizedsapphireasatemplateformocvdheteroepitaxyofiiinitrides AT lâhovanm astudyofapplicationsofnanotexturizedsapphireasatemplateformocvdheteroepitaxyofiiinitrides AT masolív astudyofapplicationsofnanotexturizedsapphireasatemplateformocvdheteroepitaxyofiiinitrides AT osínsʹkiiví astudyofapplicationsofnanotexturizedsapphireasatemplateformocvdheteroepitaxyofiiinitrides |