Поверхня ліквідусу діаграми стану системи Al2O3–HfO2–Gd2O3 в області, що багата на Al2O3
A liquidus surface for the Al2O3-rich corner of the Al2O3–HfO2–Gd2O3 system is constructed. No ternary compounds were found in the system under study. The ternary transformation point and the ternary eutectic point are discovered. The ternary eutectic Al2O3–GdAlO3–F-HfO2 exhibits the cooperative pha...
Gespeichert in:
| Datum: | 2007 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2007
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/1703 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Поверхня ліквідусу діаграми стану системи Al2O3–HfO2–Gd2O3 в області, що багата на Al2O3 / С.М. Лопато Л.М. Лакиза, Я.С. Тищенко, В.В. Ткач // Доп. НАН України. — 2007. — N 7. — С. 103–108. — Бібліогр.: 14 назв. — укp. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-1703 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-17032025-02-09T12:56:27Z Поверхня ліквідусу діаграми стану системи Al2O3–HfO2–Gd2O3 в області, що багата на Al2O3 Лакиза, С.М. Лопато, Л.М Тищенко, Я.С. Ткач, В.В. Матеріалознавство A liquidus surface for the Al2O3-rich corner of the Al2O3–HfO2–Gd2O3 system is constructed. No ternary compounds were found in the system under study. The ternary transformation point and the ternary eutectic point are discovered. The ternary eutectic Al2O3–GdAlO3–F-HfO2 exhibits the cooperative phase growing mechanism which allows one to obtain composite materials by the method of eutectic directional solidification. 2007 Article Поверхня ліквідусу діаграми стану системи Al2O3–HfO2–Gd2O3 в області, що багата на Al2O3 / С.М. Лопато Л.М. Лакиза, Я.С. Тищенко, В.В. Ткач // Доп. НАН України. — 2007. — N 7. — С. 103–108. — Бібліогр.: 14 назв. — укp. 1025-6415 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/1703 546-31:621:832:662 uk application/pdf Видавничий дім "Академперіодика" НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Ukrainian |
| topic |
Матеріалознавство Матеріалознавство |
| spellingShingle |
Матеріалознавство Матеріалознавство Лакиза, С.М. Лопато, Л.М Тищенко, Я.С. Ткач, В.В. Поверхня ліквідусу діаграми стану системи Al2O3–HfO2–Gd2O3 в області, що багата на Al2O3 |
| description |
A liquidus surface for the Al2O3-rich corner of the Al2O3–HfO2–Gd2O3 system is constructed. No ternary compounds were found in the system under study. The ternary transformation point and the ternary eutectic point are discovered. The ternary eutectic Al2O3–GdAlO3–F-HfO2 exhibits the cooperative phase growing mechanism which allows one to obtain composite materials by the method of eutectic directional solidification. |
| format |
Article |
| author |
Лакиза, С.М. Лопато, Л.М Тищенко, Я.С. Ткач, В.В. |
| author_facet |
Лакиза, С.М. Лопато, Л.М Тищенко, Я.С. Ткач, В.В. |
| author_sort |
Лакиза, С.М. |
| title |
Поверхня ліквідусу діаграми стану системи Al2O3–HfO2–Gd2O3 в області, що багата на Al2O3 |
| title_short |
Поверхня ліквідусу діаграми стану системи Al2O3–HfO2–Gd2O3 в області, що багата на Al2O3 |
| title_full |
Поверхня ліквідусу діаграми стану системи Al2O3–HfO2–Gd2O3 в області, що багата на Al2O3 |
| title_fullStr |
Поверхня ліквідусу діаграми стану системи Al2O3–HfO2–Gd2O3 в області, що багата на Al2O3 |
| title_full_unstemmed |
Поверхня ліквідусу діаграми стану системи Al2O3–HfO2–Gd2O3 в області, що багата на Al2O3 |
| title_sort |
поверхня ліквідусу діаграми стану системи al2o3–hfo2–gd2o3 в області, що багата на al2o3 |
| publisher |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України |
| publishDate |
2007 |
| topic_facet |
Матеріалознавство |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/1703 |
| citation_txt |
Поверхня ліквідусу діаграми стану системи Al2O3–HfO2–Gd2O3 в області, що багата на Al2O3 / С.М. Лопато Л.М. Лакиза, Я.С. Тищенко, В.В. Ткач // Доп. НАН України. — 2007. — N 7. — С. 103–108. — Бібліогр.: 14 назв. — укp. |
| work_keys_str_mv |
AT lakizasm poverhnâlíkvídusudíagramistanusistemial2o3hfo2gd2o3voblastíŝobagatanaal2o3 AT lopatolm poverhnâlíkvídusudíagramistanusistemial2o3hfo2gd2o3voblastíŝobagatanaal2o3 AT tiŝenkoâs poverhnâlíkvídusudíagramistanusistemial2o3hfo2gd2o3voblastíŝobagatanaal2o3 AT tkačvv poverhnâlíkvídusudíagramistanusistemial2o3hfo2gd2o3voblastíŝobagatanaal2o3 |
| first_indexed |
2025-11-26T00:34:28Z |
| last_indexed |
2025-11-26T00:34:28Z |
| _version_ |
1849811032757764096 |
| fulltext |
9. Maier C.U., Specht M., Bilger G. Hydrogen evolution on platinum-coated p-silicon photocathodes //
Internat. J. of Hydrogen Energy. – 1996. – 21, No 10. – P. 859–864.
10. Vijh A.K., Belanger G., Jacques R. Electrochemical reactions of iron silicide surfaces in sulphuric acid //
Materials Chemistry and Physics. – 1988. – 20, No 6. – P. 529–538.
11. Чиркин А.Д., Лавренко В.А., Панасюк А.Д. и др. Формирование оксидных нанопленок на поверхно-
сти дисилицидов титана, молибдена и вольфрама при анодной поляризации // Доп. НАН України. –
2006. – № 12. – С. 96–101.
12. Антропов Л.И. Теоретическая электрохимия. – Москва: Высш. шк., 1975. – 586 с.
13. Лавренко В.А., Мельник В.М., Ягупольская Л.Н. и др. Изучение с помощью циклотронного резо-
нанса разряда водородных ионов на металлах и роль этой стадии в процессе электролитического
выделения водорода // Докл. АН СССР. – 1973. – 213, № 1. – С. 126–128.
14. Робертс М., Макки Ч. Химия поверхности раздела металл — газ. – Москва: Мир, 1981. – 539 с.
15. Фоменко В.С., Подчерняева И.А. Эмиссионные и адсорбционные свойства веществ и материалов. –
Москва: Атомиздат, 1975. – 320 с.
Поступило в редакцию 26.12.2006Институт проблем материаловедения
им. И.Н. Францевича НАН Украины, Киев
УДК 546-31:621:832:662
© 2007
С.М. Лакиза, Л. М. Лопато, Я.С. Тищенко, В.В. Ткач
Поверхня лiквiдусу дiаграми стану системи
Al2O3−HfO2−Gd2O3 в областi, що багата на Al2O3
(Представлено академiком НАН України С.О. Фiрстовим)
A liquidus surface for the Al2O3-rich corner of the Al2O3−HfO2−Gd2O3 system is constructed.
No ternary compounds were found in the system under study. The ternary transformation point
and the ternary eutectic point are discovered. The ternary eutectic Al2O3−GdAlO3−F-HfO2
exhibits the cooperative phase growing mechanism which allows one to obtain composite mate-
rials by the method of eutectic directional solidification.
Вивчення систем Al2O3−HfO2−Ln2O3 (Ln — лантаноїди, У) є актуальним, оскiльки мате-
рiали на основi HfO2 мають вищу температуру плавлення, бiльш високу хiмiчну стабiль-
нiсть та нижчий коефiцiєнт термiчного розширення у порiвняннi з цирконiєвмiсними мате-
рiалами [1].
Подвiйнi обмежуючi системи вивчено детально у роботах [2–10]. Лiквiдус дiаграми стану
системи Al2O3−HfO2 — евтектичного типу з координатами евтектики 33%* HfO2, 1890 ◦С [2].
Новi фази в системi не утворюються. На лiквiдусi знаходиться також метатектична точка
з координатами 18% Al2O3, 2470 ◦С, що вiдтворює нонварiантний процес фазового пере-
творення F ⇆ T + рiдина (L) твердих розчинiв на основi HfO2 з кубiчною структурою
типу флюориту (F) у твердi розчини з тетрагональною структурою (Т). Фазове перетво-
рення твердих розчинiв на основi HfO2 з тетрагональною структурою у твердi розчини
з моноклiнною структурою (М) вiдбувається у твердому станi при 1790 ◦С за евтектоїдним
*Тут i надалi концентрацiю наведено у % (мол.).
ISSN 1025-6415 Доповiдi Нацiональної академiї наук України, 2007, №7 103
механiзмом T ⇆ M + Al2O3 (AL). Розчиннiсть на основi фази Al2O3 практично вiдсутня.
На основi фази HfO2 утворюється вузька область твердих розчинiв.
Лiквiдус дiаграми стану системи HfO2−Gd2O3 евтектичного типу з координатами ев-
тектики 78% Gd2O3, 2310 ◦С [3, 4]. На основi фази HfO2 утворюються широкi областi
твердих розчинiв з флюоритоподiбною кубiчною, тетрагональною та моноклiнною струк-
турами, ширина яких змiнюється iз змiною температури. На основi Gd2O3 розчиннiсть
при температурi евтектики досягає 8% HfO2. Фазовi перетворення HfO2 F ⇆ T ⇆ M та
Gd2O3 X ⇆ H ⇆ A ⇆ B (Х — кубiчна високотемпературна, Н — гексагональна високо-
температурна, А — гексагональна низькотемпературна, В — моноклiнна структури оксидiв
рiдкiсноземельних металiв (РЗМ)) вiдбуваються у твердому станi i на лiквiдусi не проявля-
ються. Фазове перетворення T ⇆ M вiдбувається за евтектоїдним механiзмом. Температури
фазових перетворень Gd2O3 плавно знижуються в областi твердих розчинiв, у двофазних
областях вiдбуваються при постiйних температурах: 2280 ◦С (X ⇆ H), 2090 ◦С (H ⇆ A),
2025 ◦С (A ⇆ B). У системi на основi кубiчної структури типу флюориту утворюється
надструктура типу пiрохлору Gd2Hf2O7 (G2H), що має область гомогенностi, яка вiдокрем-
лена вiд флюоритоподiбних твердих розчинiв F вузькими двофазовими областями. Верхня
температурна межа стабiльностi фази G2H складає 2350 ◦С.
У системi Al2O3−Gd2O3 виявлено двi стабiльнi сполуки: GdAlO3 (GA), що плавиться
конгруентно при 2069 ◦С [5–10] i має при кiмнатнiй температурi ромбiчну структуру, та
Gd4Al2O9 (G2A), що плавиться iнконгруентно (G2A ⇆ L + GA) при 1950 ◦С [7] та має мо-
ноклiнну структуру. Сполука GA утворює з фазою Al2O3 евтектику з координатами 23%
Gd2O3, 1720 ◦С. Сполука G2A утворює з фазою Gd2O3 евтектику з координатами 76%
Gd2O3, 1920 ◦С. Перитектична точка, яка вiдповiдає складу рiдини при iнконгруентному
плавленнi фази G2A, мiстить 70% Gd2O3. Фазовi перетворення X ⇆ H ⇆ A ⇆ B Gd2O3
вiдбуваються в присутностi рiдини при постiйних температурах i утворюють на поверх-
нi лiквiдусу три метатектичнi точки з координатами: X ⇆ H + L (2360 ◦C, 98% Gd2O3),
H ⇆ A + L (2200 ◦C, 90,5% Gd2O3), A ⇆ B + L (2170 ◦C, 89% Gd2O3). Сполука GA за-
знає фазового перетворення ромбiчна⇆ромбоедрична структура при 1700 ◦C [8], а G2A —
моноклiнна ⇆ моноклiнна структура зi змiною лiнiйних розмiрiв на 0,25% при 1155 ◦С [7].
Крiм цього, в системi виявлено ще двi сполуки: Gd3Al5O12 (G3A5) з кубiчною структурою
типу гранату, яку одержано при кристалiзацiї стекол, загартованих вiд високих темпера-
тур [9, 10], i GdAl11O18 (G2A) iз структурою β-Al2O3, одержаної також загартуванням
розплаву [10]. Обидвi сполуки є метастабiльними. Твердих розчинiв на основi компонентiв
та подвiйних сполук у системi не виявлено.
В лiтературi вiдсутнi данi про дiаграму стану системи Al3O3−HfO2−Gd2O3. У роботi [11]
наведено результати загартування сплаву 63% AI2O3−14% HfO2−23% Gd2O3. В результатi
плавки в променевiй печi з 10 кВт ксеноновою лампою на мiдному поду з водяним охоло-
дженням було отримано прозорi склоподiбнi зразки, якi зберiгали аморфнiсть до 800 ◦С,
а понад 1000 ◦С кристалiзувались з утворенням фаз AL, F−Gd2O3 та GA.
Зразки для дослiджень готували з порошкiв AI2O3 марки ЧДА (ТУ 6-09-426-75), HfO2
марки ГФО-2 з вмiстом основної речовини 99,9% Донецького заводу хiмреактивiв та Gd2O3
марки ГдО-Г (ГОСТ 48–200–81) Дослiдного заводу Фiзико-хiмiчного iнституту НАН Укра-
їни (м. Одеса). Порошки змiшували в агатовiй ступцi в середовищi етанолу, пресували
в таблетки дiаметром i заввишки 5 мм. Склади зразкiв для дослiдження вибирали цi-
леспрямовано, виходячи з результатiв дослiдження поверхнi лiквiдусу системи-аналога
Al2O3−ZrO2−Gd2O3 [12] та результатiв роботи [11]. Було вибрано чотири зразки, склад
104 ISSN 1025-6415 Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine, 2007, №7
Рис. 1. Проекцiя поверхнi лiквiдусу дiаграми стану системи Al2O3−HfO2−Gd2O3 в областi, що багата на
Al2O3
яких наведено в табл. 1. Зразки плавили в установцi для високотемпературного диферен-
цiйного термiчного аналiзу (ДТА) у середовищi водню в молiбденових тиглях [13].
Для аналiзу плавлених зразкiв використовували методи фiзико-хiмiчного аналiзу: ви-
вчення мiкроструктури (JEOJ-Superprobe 763), рентгенофазовий аналiз (РФА) на установцi
ДРОН-1.5 (CuKα
-випромiнювання, Ni — фiльтр), ДТА до 2500 ◦С [13], а також метод пет-
рографiї (“МИН-8”).
На пiдставi експерименту, а також даних лiтератури, побудовано проекцiю поверхнi лiк-
вiдусу дiаграми стану системи Al2O3−HfO2−Gd2O3 в областi, що багата на Al2O3 (рис. 1).
У вивченому дiапазонi концентрацiй проекцiя поверхнi лiквiдусу представлена чотирма по-
лями первинної кристалiзацiї фаз: AL, GA, F й T, роздiлених кривими кристалiзацiї мо-
новарiантних евтектик.
Найбiльшу частину поверхнi лiквiдусу займає поле первинної кристалiзацiї фази HfO2,
як самої тугоплавкої та термодинамiчно стабiльної в системi. Поле подiлене лiнiєю е1U три-
фазової моноварiантної рiвноваги F ⇆ T +L на два поля первинної кристалiзацiї фаз F i T
(див. рис. 1). За даними петрографiї, сплав 1 мiстить первиннi кристали фази T у матрицi
евтектичної структури, а сплав 2 — первиннi кристали фази F також у матрицi евтектичної
Таблиця 1. Фазовий склад та показники заломлення первинних кристалiв зразкiв системи
Al2O3−HfO2−Gd2O3, за даними рентгенофазового аналiзу та петрографiї
Номер
зразка
Склад, % Фазовий
склад
Показники заломлення
первинних кристалiвAl2O3 HfO2 Gd2O3
1 63 14 23 GA
∗
+ AL + F GA: np = 2,00; 1,99 < ng > 2,01
2 47,5 47,5 5 T
∗
+ AL + GA Т: np = 2,08, ng > 2,14
3 45 45 10 F
∗
+ AL + GA F: 2,10 < n < 2,14
4 64 16 20 F
∗
+ AL + GA Первиннi кристали не виявлено
∗ Фази кристалiзуються першими. ∗ Молярну концентрацiю наведено у %.
ISSN 1025-6415 Доповiдi Нацiональної академiї наук України, 2007, №7 105
Рис. 2. Мiкроструктури деяких сплавiв системи Al2O3−HfO2−Gd2O3: а — сплав 1, свiтлi первиннi дендрити
GA-фази у матрицi потрiйної евтектики AL + F + GA; б — колонiйна структура потрiйної евтектики AL +
+ F + GA; в — досконала структура потрiйної евтектики AL + F + GA, GA-фаза (сiра), Al-фаза (темна),
F-фаза (свiтлi включення в темну фазу); г — будова колонiї потрiйної евтектики (у центрi): призматичнi
кристали GA-фази (сiра) у матрицi AL (темна), армованiй свiтлими волокнами F; д — будова евтектичного
пакету AL + F + GA: GA-фаза (сiра), AL-фаза (темна), F-фаза (свiтлi включення в темну фазу)
структури. Тому моноварiантна крива e1U проходить мiж складами точок 1 та 2. У дослi-
дженiй областi концентрацiй на поверхнi лiквiдусу виявлено двi потрiйнi нонварiантнi то-
чки: евтектичну Е, в якiй проходить чотирифазовий конгруентний процес L ⇆ AL+F+GA
при 1670 ◦С, та перитектичну U, в якiй проходить чотирифазовий iнконгруентний перехiд-
ний процес з участю рiдини L + T ⇆ F + AL, температуру якого не встановлено.
На рис. 2 зображено мiкроструктури зразкiв 1 та 4. З мiкрофото а видно свiтлi первиннi
кристали GA-фази в матрицi евтектичної структури, що збiгається з даними петрографiї.
Це свiдчить про вiдхилення складу зразка 1 вiд евтектичного. Вiдкоригований склад по-
106 ISSN 1025-6415 Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine, 2007, №7
трiйної евтектики (зразок 4) наведено в табл. 1. Загальний вигляд цiєї евтектики iлюструє
мiкрофото б, з якого чiтко видно колонiйну структуру з огрубiнням фаз на границях ко-
лонiй. Витягнута форма колонiй свiдчить про здатнiсть цiєї евтектики до кооперативного
росту, що, в свою чергу, вiдкриває можливiсть для одержання матерiалiв направленою кри-
сталiзацiєю. Мiкрофото в iлюструє фрагмент досконалої евтектичної структури, в якому
свiтла тригранна GA-фаза знаходиться в темнiй матрицi корунду Al2O3, яка, пронизана
(армована) тонкими (до 0,2 мкм) волокнами F-фази. З мiкрофото г видно три евтектичнi
колонiї в рiзнiй орiєнтацiї. Колонiї в центрi рисунка г, а також у в, свiдчать, що евтекти-
ка AL + F + GА складається з тригранних призм GA-фази в матрицi Al2O3, пронизаної
нановолокнами F-фази. Будову евтектичного пакета AL + F + GA в iншiй орiєнтацiї пока-
зано на мiкрофото д. Виходячи з отриманих зображень, можна запропонувати такий ме-
ханiзм росту цiєї потрiйної евтектики. При наявностi плоскофронтального росту першими
в розплав проростають кристали GА-фази у виглядi призматичних стрижнiв. У промiжках
мiж призмами GА-фази з деяким запiзненням кристалiзується корундова матриця разом
з волокнистими кристалами повнiстю стабiлiзованого HfO2 зi структурою типу флюориту.
Запропонований механiзм росту потрiйної евтектики AL + F + GA збiгається з одним iз
трьох механiзмiв росту, запропонованих авторами [14].
Таким чином, встановлено характер взаємодiї в системi Al2O3−HfO2−Gd2O3 в областi,
що багата на Al2O3. Потрiйних сполук у цiй частинi системи не виявлено, що узгоджується
з даними про взаємодiю в iнших системах Al2O3−Zr(Hf)O2−Ln2O3 (Ln — лантаноїди). Ви-
явлено двi нонварiантнi точки, в однiй з яких вiдбувається iнконгруентна перехiдна реакцiя
з участю рiдини (U), а в другiй — конгруентна евтектична реакцiя Е, яка закiнчується кри-
сталiзацiєю трьох фаз AL, F й GA. Уточнено склад цiєї евтектики, який дещо вiдрiзняється
вiд встановленого в роботi [11]. Запропоновано механiзм кристалiзацiї потрiйної евтекти-
ки. Характер її кристалiзацiї свiдчить про реалiзацiю в нiй механiзму спряженого росту
фаз, що вiдкриває перспективу одержання композицiйних евтектичних матерiалiв методом
спрямованої кристалiзацiї.
1. Лопато Л.М., Шевченко А.В., Фролов А.А., Редько В.П. Плавление и диспергирование оксидных
материалов в “холодном” тигле и в печах с концентрированным лучистым нагревом // Порошк.
металлургия. – 2005. – № 7./8. – С. 36–42.
2. Лопато Л.М., Шевченко А. В., Герасимюк Г.И. Система HfO2−Al2O3 // Изв. АН СССР. Неорган.
материалы. – 1976. – 12, № 9. – С. 1623–1626.
3. Duran P. Phase relationships in the hafnia-gadolinia system // Ceramurg. Int. – 1977. – 3, No 4. –
P. 137–140.
4. Шевченко А. В., Лопато Л.М., Назаренко Л.В. Системы HfO2 с оксидами самария, гадолиния, тер-
бия и диспрозия при высоких температурах // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. – 1984. – 20,
№ 11. – С. 1862–1866.
5. Будников П.П., Кушаковский В.И., Белеванцев В.С. Изучение систем Gd2O3−Al2O3 и
Sm2O3−Al2O3 // Докл. АН СССР – 1965. – 165, № 5. – С. 1075–1077.
6. Mizuno M., Yamada T., Noguchi T. Phase diagrams of the systems Al2O3−Eu2O3 and Al2O3−Gd2O3 at
high temperatures // J. Ceram. Soc. Jap. – 1977. – 85, No 11. – P. 543–549.
7. Gervais M., Douy A. Solid phase transformation and melting of the compounds Ln4Al2O9 (Ln=Gd, Dy,
Y) // Mater. Sci. Eng. – 1996. – B38, No 1./2. – P. 118–121.
8. Coutures J., Coutures J. P. Etude par rayons X a haute temperature des transformations polymorphiques
des perovskites LnAlO 3 (Ln=element lanthanidique) // J. Sol. State Chem. – 1984. – 52, No 2. – P. 95–100.
9. Shishido T., Okamura K., Yajima S. Gd3Al5O12 phase obtained by crystallization of amorphous
Gd2O3 · 5/3 Al2O3 // J. Amer. Ceram. Soc. – 1978. – 61, No 7./8. – P. 373–375.
ISSN 1025-6415 Доповiдi Нацiональної академiї наук України, 2007, №7 107
10. Матюшенко Н.Н., Шевякова Э.П., Лифшиц Е.В., Лапина Н.В. Кристаллическая структура и не-
которые свойства алюмината гадолиния Gd3Al5O12 // Журн. неорган. химии. – 1985. – 30, № 7. –
С. 1654–1657.
11. Araki S., Yoshimura M. Fabrication of transparent ceramics through melt solidification of near eutectic
composition in HfO2−Al2O3−GdAlO3 system // J. Europ. Ceram. Soc. – 2006. – 26, No 15. – P. 3295–3299.
12. Лакиза С.М., Лопато Л.М., Редько В.П. Поверхня лiквiдусу дiаграми стану системи
Al2O3−ZrO2−Gd2O3 в областi, що багата на Al2O3 // Доп. НАН України. – 2005. – № 4. – С. 95–99.
13. Лопато Л.М., Шевченко А. В., Кущевский А.Е. Исследование систем высокоогнеупорных окислов //
Порошк. металлургия. – 1972. – № 1. – С. 88–92.
14. Спиридонова И.М., Карпенко Н.В. Многофазная эвтектическая кристаллизация в трехкомпонен-
тных сплавах Fe−Mo−C и Fe−Mo−P // Теория практ. методов: Науч. тр. Междунар. конф. “Эвтек-
тика VII”, 26–29 сент. 2006. – Днепропетровск, 2006. – С. 62–65.
Надiйшло до редакцiї 28.12.2006Iнститут проблем матерiалознавства
iм. I. М. Францевича НАН України, Київ
108 ISSN 1025-6415 Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine, 2007, №7
|