Применение поликристаллических диффузионных барьеров
Деградация контактов электронной аппаратуры при повышенных температурах связана с активным диффузионным перераспределением компонентов контактно-металлизационной системы (КМС) и фазообразованием на межфазных границах. Одной из систем диффузионных барьеров (ДБ) являются поликристаллические силицидные...
Saved in:
| Date: | 2010 |
|---|---|
| Main Authors: | Цымбал, В.А., Колупаев, И.Н. |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2010
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/17043 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Применение поликристаллических диффузионных барьеров / В.А. Цымбал, И.Н. Колупаев // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 3. — С. 184-187. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
-
Применение поликристаллических диффузионных барьеров
by: Цымбал, В.А., et al.
Published: (2010) -
Применение мощных ускорителей электронов типа ЭЛВ для получения нанопорошков
by: Бардаханов, С.П., et al.
Published: (2008) -
Датчик энергии релятивистских электронов, используемый в кильватерном ускорителе
by: Киселёв, В.А., et al.
Published: (2010) -
Разработка метода «радиационной тени» для мониторинга режима стерилизации продукции пучком электронов
by: Ванжа, С.А., et al.
Published: (2010) -
Исследование поля смешанного Х,n-излучения при фотоядерном производстве изотопов
by: Малыхина, Т.В., et al.
Published: (2008)