Вплив внутрішніх механічних напружень і квантово-розмірного ефекту на ефективність сульфідної електронної пасивації GaAs

We have investigated the real and chemically sulfided gallium arsenide surfaces by the electroreflectance method in the E0-spectral region. On the basis of quantitative analysis of the experimental data, the flat band potential, energies of quantized levels, width of a quantum well, and the intrinsi...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2007
Hauptverfasser: Венгер, Є.Ф., Матвеєва, Л.О., Колядіна, О.Ю., Клименко, А.П.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
Veröffentlicht: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2007
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/1747
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Вплив внутрішніх механічних напружень і квантово-розмірного ефекту на ефективність сульфідної електронної пасивації GaAs / Є.Ф. Венгер, Л.О. Матвеєва, О.Ю. Колядіна, А.П. Клименко // Доп. НАН України. — 2007. — N 7. — С. 72–78. — Бібліогр.: 15 назв. — укp.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine