Вплив внутрішніх механічних напружень і квантово-розмірного ефекту на ефективність сульфідної електронної пасивації GaAs

We have investigated the real and chemically sulfided gallium arsenide surfaces by the electroreflectance method in the E0-spectral region. On the basis of quantitative analysis of the experimental data, the flat band potential, energies of quantized levels, width of a quantum well, and the intrinsi...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2007
Автори: Венгер, Є.Ф., Матвеєва, Л.О., Колядіна, О.Ю., Клименко, А.П.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2007
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/1747
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Вплив внутрішніх механічних напружень і квантово-розмірного ефекту на ефективність сульфідної електронної пасивації GaAs / Є.Ф. Венгер, Л.О. Матвеєва, О.Ю. Колядіна, А.П. Клименко // Доп. НАН України. — 2007. — N 7. — С. 72–78. — Бібліогр.: 15 назв. — укp.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-1747
record_format dspace
spelling Венгер, Є.Ф.
Матвеєва, Л.О.
Колядіна, О.Ю.
Клименко, А.П.
2008-09-02T17:07:19Z
2008-09-02T17:07:19Z
2007
Вплив внутрішніх механічних напружень і квантово-розмірного ефекту на ефективність сульфідної електронної пасивації GaAs / Є.Ф. Венгер, Л.О. Матвеєва, О.Ю. Колядіна, А.П. Клименко // Доп. НАН України. — 2007. — N 7. — С. 72–78. — Бібліогр.: 15 назв. — укp.
1025-6415
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/1747
621.321.592
We have investigated the real and chemically sulfided gallium arsenide surfaces by the electroreflectance method in the E0-spectral region. On the basis of quantitative analysis of the experimental data, the flat band potential, energies of quantized levels, width of a quantum well, and the intrinsic mechanical stresses depending on sulfiding conditions are determined. We have ascertained optimal conditions for the improvement of the electron parameters of the substrate-sulfide film interface on the electron passivation of GaAs.
uk
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
Фізика
Вплив внутрішніх механічних напружень і квантово-розмірного ефекту на ефективність сульфідної електронної пасивації GaAs
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Вплив внутрішніх механічних напружень і квантово-розмірного ефекту на ефективність сульфідної електронної пасивації GaAs
spellingShingle Вплив внутрішніх механічних напружень і квантово-розмірного ефекту на ефективність сульфідної електронної пасивації GaAs
Венгер, Є.Ф.
Матвеєва, Л.О.
Колядіна, О.Ю.
Клименко, А.П.
Фізика
title_short Вплив внутрішніх механічних напружень і квантово-розмірного ефекту на ефективність сульфідної електронної пасивації GaAs
title_full Вплив внутрішніх механічних напружень і квантово-розмірного ефекту на ефективність сульфідної електронної пасивації GaAs
title_fullStr Вплив внутрішніх механічних напружень і квантово-розмірного ефекту на ефективність сульфідної електронної пасивації GaAs
title_full_unstemmed Вплив внутрішніх механічних напружень і квантово-розмірного ефекту на ефективність сульфідної електронної пасивації GaAs
title_sort вплив внутрішніх механічних напружень і квантово-розмірного ефекту на ефективність сульфідної електронної пасивації gaas
author Венгер, Є.Ф.
Матвеєва, Л.О.
Колядіна, О.Ю.
Клименко, А.П.
author_facet Венгер, Є.Ф.
Матвеєва, Л.О.
Колядіна, О.Ю.
Клименко, А.П.
topic Фізика
topic_facet Фізика
publishDate 2007
language Ukrainian
publisher Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
format Article
description We have investigated the real and chemically sulfided gallium arsenide surfaces by the electroreflectance method in the E0-spectral region. On the basis of quantitative analysis of the experimental data, the flat band potential, energies of quantized levels, width of a quantum well, and the intrinsic mechanical stresses depending on sulfiding conditions are determined. We have ascertained optimal conditions for the improvement of the electron parameters of the substrate-sulfide film interface on the electron passivation of GaAs.
issn 1025-6415
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/1747
citation_txt Вплив внутрішніх механічних напружень і квантово-розмірного ефекту на ефективність сульфідної електронної пасивації GaAs / Є.Ф. Венгер, Л.О. Матвеєва, О.Ю. Колядіна, А.П. Клименко // Доп. НАН України. — 2007. — N 7. — С. 72–78. — Бібліогр.: 15 назв. — укp.
work_keys_str_mv AT vengerêf vplivvnutríšníhmehaníčnihnapruženʹíkvantovorozmírnogoefektunaefektivnístʹsulʹfídnoíelektronnoípasivacíígaas
AT matveêvalo vplivvnutríšníhmehaníčnihnapruženʹíkvantovorozmírnogoefektunaefektivnístʹsulʹfídnoíelektronnoípasivacíígaas
AT kolâdínaoû vplivvnutríšníhmehaníčnihnapruženʹíkvantovorozmírnogoefektunaefektivnístʹsulʹfídnoíelektronnoípasivacíígaas
AT klimenkoap vplivvnutríšníhmehaníčnihnapruženʹíkvantovorozmírnogoefektunaefektivnístʹsulʹfídnoíelektronnoípasivacíígaas
first_indexed 2025-11-29T02:00:10Z
last_indexed 2025-11-29T02:00:10Z
_version_ 1850854393456361472