Вплив внутрішніх механічних напружень і квантово-розмірного ефекту на ефективність сульфідної електронної пасивації GaAs
We have investigated the real and chemically sulfided gallium arsenide surfaces by the electroreflectance method in the E0-spectral region. On the basis of quantitative analysis of the experimental data, the flat band potential, energies of quantized levels, width of a quantum well, and the intrinsi...
Saved in:
| Date: | 2007 |
|---|---|
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2007
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/1747 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Вплив внутрішніх механічних напружень і квантово-розмірного ефекту на ефективність сульфідної електронної пасивації GaAs / Є.Ф. Венгер, Л.О. Матвеєва, О.Ю. Колядіна, А.П. Клименко // Доп. НАН України. — 2007. — N 7. — С. 72–78. — Бібліогр.: 15 назв. — укp. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1859619455417450496 |
|---|---|
| author | Венгер, Є.Ф. Матвеєва, Л.О. Колядіна, О.Ю. Клименко, А.П. |
| author_facet | Венгер, Є.Ф. Матвеєва, Л.О. Колядіна, О.Ю. Клименко, А.П. |
| citation_txt | Вплив внутрішніх механічних напружень і квантово-розмірного ефекту на ефективність сульфідної електронної пасивації GaAs / Є.Ф. Венгер, Л.О. Матвеєва, О.Ю. Колядіна, А.П. Клименко // Доп. НАН України. — 2007. — N 7. — С. 72–78. — Бібліогр.: 15 назв. — укp. |
| collection | DSpace DC |
| description | We have investigated the real and chemically sulfided gallium arsenide surfaces by the electroreflectance method in the E0-spectral region. On the basis of quantitative analysis of the experimental data, the flat band potential, energies of quantized levels, width of a quantum well, and the intrinsic mechanical stresses depending on sulfiding conditions are determined. We have ascertained optimal conditions for the improvement of the electron parameters of the substrate-sulfide film interface on the electron passivation of GaAs.
|
| first_indexed | 2025-11-29T02:00:10Z |
| format | Article |
| fulltext |
оповiдi
НАЦIОНАЛЬНОЇ
АКАДЕМIЇ НАУК
УКРАЇНИ
7 • 2007
ФIЗИКА
УДК 621.321.592
© 2007
Член-кореспондент НАН України Є. Ф. Венгер, Л.О. Матвеєва,
О.Ю. Колядiна, А. П. Клименко
Вплив внутрiшнiх механiчних напружень
i квантово-розмiрного ефекту на ефективнiсть
сульфiдної електронної пасивацiї GaAs
We have investigated the real and chemically sulfided gallium arsenide surfaces by the electro-
reflectance method in the E0-spectral region. On the basis of quantitative analysis of the experi-
mental data, the flat band potential, energies of quantized levels, width of a quantum well, and
the intrinsic mechanical stresses depending on sulfiding conditions are determined. We have
ascertained optimal conditions for the improvement of the electron parameters of the substrate-
sulfide film interface on the electron passivation of GaAs.
У напiвпровiдникових приладах нового поколiння основною робочою областю є приповерх-
невi шари. Порiвняно з об’ємом в них вiдбуваються змiни фiзичних властивостей, в першу
чергу через наявнiсть поверхневого потенцiалу, який може при певних умовах приводити
до поверхневого квантування носiїв заряду [1]. Для покращення характеристик електрон-
них приладiв застосовується пасивацiя обiрваних зв’язкiв, якi iснують на реальнiй поверхнi
напiвпровiдника [2].
Завдяки оптичним i електрофiзичним властивостям арсенiд галiю широко використову-
ється в електроннiй, оптоелектроннiй i сенсорнiй технiцi. До найбiльш ефективних методiв
електронної пасивацiї поверхнi напiвпровiдникiв А3В5 вiдноситься їх обробка у водних халь-
когенiдних розчинах, в тому числi сульфiдна пасивацiя [3–5]. Для n-типу провiдностi GaAs
процес пасивацiї прискорюється iз збiльшенням рiвня легування i сповiльнюється для p-ти-
пу. Тому швидкiсть утворення пасивуючого покриття на поверхнi n-типу значно вища, нiж
на поверхнi p-типу провiдностi. З ростом температури обробки, концентрацiї сiрки в роз-
чинi i при освiтленнi межi подiлу напiвпровiдник — електролiт ця швидкiсть також збiль-
шується [6]. Порiвняння ефективностi пасивацiї поверхнi GaAs iз розчину сульфiду натрiю
i амонiю показало, що ефективнiсть електронної пасивацiї поверхнi арсенiду галiю збiльшу-
ється також iз зменшенням дiелектричної проникностi пасивуючого розчину [6]. В розчинах
сульфiду Na2S вона вища, нiж в розчинах (NH4)2S.
Проте ефективнiсть електронної пасивацiї визначається не лише згаданими вище чинни-
ками. Вона, мабуть, залежить також вiд тривалостi обробки, оскiльки збiльшення товщини
72 ISSN 1025-6415 Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine, 2007, №7
сульфiдного покриття може приводити до змiн внутрiшнiх механiчних напружень на межi
подiлу GaAs — пасивуюча плiвка, що ранiше на враховувалось. Добре вiдомо, що внутрi-
шнi механiчнi напруження можуть змiнювати параметри зонної структури напiвпровiдника,
приводити до виникнення технологiчних дефектiв на межi подiлу, формуючи її електроннi
властивостi [7]. При дослiдженнi структурної досконалостi i електронних параметрiв суль-
фiдованої поверхнi GaAs крiм внутрiшнiх механiчних напружень нами був виявлений також
ефект поверхневого квантування носiїв заряду [8]. Метою даної роботи було встановлення
впливу внутрiшнiх механiчних напружень i квантово-розмiрного ефекту на ефективнiсть
електронної пасивацiї поверхнi арсенiду галiю.
Дослiджувалися зразки n-GaAs (100) з концентрацiєю електронiв 2·1017 см−3. Для знят-
тя природного окислу з реальної поверхнi зразки витримувалися протягом 10 хв в травнику
H2SO4 : H2O2 : H2O = 3 : 1 : 2, пiсля чого промивалися дистильованою водою i сульфiду-
валися в насиченому розчинi Na2S · 9H2O при рiзнiй тривалостi обробки: 5, 10 та 20 хв.
Оскiльки сульфiдування вiдбувається в результатi фотоелектрохiмiчних реакцiй, поверх-
ня зразкiв освiтлювалася лампою розжарювання 500 Вт. Пiсля сульфiдної обробки зразки
знову промивали дистильованою водою i сушили в потоцi теплого повiтря.
Модуляцiйна спектроскопiя електровiдбивання (ЕВ) свiтла використана для встановлен-
ня змiн зонної структури на поверхнi GaAs, величини внутрiшнiх механiчних напружень
i квантово-розмiрного ефекту на межi подiлу з пасивуючою плiвкою. Порiвняно з класич-
ною модуляцiйна спектроскопiя має значнi переваги з точки зору роздiльної здатностi i чут-
ливостi до змiн в енергетичному спектрi напiвпровiдника пiд дiєю зовнiшнiх чинникiв [7–9].
Реєстрацiя спектрiв ЕВ проводилася на комп’ютеризованому устаткуваннi на основi по-
двiйного монохроматора ДМР-4. Для прикладання модулюючої напруги до зразка викори-
стана електролiтична комiрка з 0,1 нормальним розчином хлористого калiю в дистильованiй
водi i платиновим електродом. Вимiрювальна схема включала фотопомножувач ФЭУ-62,
вузькосмуговий пiдсилювач, синхронний детектор i дiльник змiнного ∆R (промодульовано-
го електричним полем) i постiйного R сигналiв вiдбитого свiтла. Частота модуляцiї елект-
ричного поля становила 1,13 кГц, спектральна роздiльна здатнiсть 0,003 еВ, порогова чут-
ливiсть вимiру вiдношення ∆R/R (диференцiйне електровiдбивання) складала 10−5. Вимi-
рювання проводилися при кiмнатнiй температурi в енергетичнiй областi переходiв Γ8υ – Γ6с
(E0-перехiд в центрi зони Брiллюена GaAs). Вимiри проведенi в слабопольовому режимi,
справедливiсть використання якого визначалася дiапазоном лiнiйної залежностi сигналу ЕВ
вiд модулюючої напруги. Енергiя переходу (ширина забороненої зони Eg) i феноменологiч-
ний параметр розширення спектра Γ, який характеризує сумарне розсiювання збуджених
свiтлом носiїв заряду, розраховувалися триточковим методом [10].
На рис. 1 наведенi спектри ЕВ зразкiв GaAs пiсля рiзного часу їх сульфiдної обробки.
В табл. 1 зведенi данi, отриманi iз кiлькiсного аналiзу спектрiв ЕВ в областi E0-переходу
для рiзної тривалостi сульфiдування GaAs. Тут ∆Eg — змiна ширини забороненої зони;
Таблиця 1. Електроннi параметри поверхнi GaAs, визначенi iз спектрiв електровiдбивання в областi E0-пе-
реходу при рiзному часi сульфiдування
t, хв E0, еВ ∆E0, еВ Γ, меВ τ , 10−14 с µ, смВ−1 с−1
0 1,451 80 0,82 2000
5 1,437 −0, 014 32 2,05 3200
10 1,397 −0, 054 36 1,82 3000
20 1,390 −0, 061 51 1,29 2400
ISSN 1025-6415 Доповiдi Нацiональної академiї наук України, 2007, №7 73
Рис. 1. Спектри електровiдбивання поверхнi GaAs до (а) i пiсля її сульфiдування протягом 5 (б ) i 20 (в) хв
τ = ~/Γ — енергетичний час релаксацiї збуджених свiтлом носiїв заряду; µ = eτ/m∗ — їх
рухливiсть, де е — заряд електрона, а m∗ = 0,057nm0 — зведена ефективна маса носiїв
заряду в GaAs для E0-переходу.
Iз даних, наведених в табл. 1, видно, що змiни в ширинi забороненої зони зростають
при збiльшеннi часу сульфiдування t, а параметр розширення має мiнiмальне значення
при t = 5 хв, вiдповiдно час енергетичної релаксацiї i рухливiсть носiїв заряду досягають
максимального значення при даному t.
Авторами [8] було встановлено, що пiд час сульфiдної обробки GaAs в розчинi Na2S·9H2O
протягом 5 хв на його поверхнi утворюється полiкристалiчна плiвка Ga2S3, а на межi подiлу
з нею виникають внутрiшнi механiчнi напруження. Постiйна гратки пiдкладки 5,6534 Å
менша, нiж у Ga2S3 (6,028 Å) [11], тому на її поверхнi виникають напруження розтягу.
Дiйсно, з часом сульфiдування енергiя E0-переходу в GaAs змiщується в низькоенергетичну
область (див. табл. 1). Це пiдтверджує наявнiсть на його поверхнi розтягуючих механiчних
напружень. Їх величина P визначалася за змiною енергiї переходу ∆E0 з використанням
виразу [12]
P =
∆E0(еВ)
10,8 · 10−2(еВ/ГПа)
. (1)
На рис. 2 показана залежнiсть внутрiшнiх механiчних напружень вiд часу сульфiдної оброб-
ки GaAs. Мiнiмальне значення P спостерiгається пiсля 5-хвилинної обробки (1,3 · 108 Па).
При подальшому сульфiдуваннi зразка величина напружень зростає до 5,65 · 108 Па. При
цьому на сульфiдованiй поверхнi зростає також феноменологiчний параметр розширення
74 ISSN 1025-6415 Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine, 2007, №7
Рис. 2. Залежнiсть внутрiшнiх механiчних напружень на поверхнi GaAs вiд часу сульфiдної обробки
спектра Γ вiд 32 меВ до 51 меВ (див. табл. 1). Це означає пiдсилення розсiювання збуд-
жених свiтлом носiїв заряду при наявностi на межi подiлу механiчних напружень, тобто
зниження ефективностi пасивацiї (зменшуються рухливiсть i час енергетичної релаксацiї
носiїв заряду). Проте порiвняно з вихiдним зразком (Γ = 80 меВ) сульфiдацiя i в цьому
випадку покращує електроннi параметри поверхнi GaAs (100).
При електроннiй пасивацiї вiдбувається перенос зарядiв мiж поверхнею напiвпровiд-
ника i пасивуючим розчином, в результатi чого поверхня GaAs втрачає електрони [13],
а поблизу середини його забороненої зони зменшується щiльнiсть поверхневих електронних
станiв [5]. Це приводить як до зменшення розсiювання збуджених свiтлом носiїв заряду
(див. табл. 1), так i до збiльшення величини поверхневого потенцiалу. Його значення визна-
чалося iз залежностi iнтенсивностi пiкiв сигналу ЕВ вiд прикладеного постiйного змiщення.
Для поверхнi, сульфiдованої впродовж 20 хв, така залежнiсть наведена на рис. 3. Напру-
га, при якiй пряма перетинає вiсь абсцис, вiдповiдає потенцiалу плоских зон з оберненим
знаком. Видно, що перетин вiдбувається при змiщеннi 1,34 еВ. Це вiдповiдає поверхневому
потенцiалу −1, 34 еВ. Для вихiдної поверхнi GaAs значення поверхневого потенцiалу стано-
вило лише −0, 35 еВ. Збiльшення величини вiд’ємного поверхневого потенцiалу зон означає
збiльшення їх вигину вгору [1].
Саме поверхневий потенцiал формує полярнiсть спектрiв ЕВ. Для E0-переходу, незалеж-
но вiд часу сульфiдної обробки поверхнi зразка, низькоенергетична осциляцiя в спектрi зав-
жди була вiд’ємною. Внаслiдок зростання вигину зон вгору через збiднення поверхнi n-GaAs
електронами пiд час сульфiдування вiдбувається збагачення дiрками приповерхневого шару
GaAs. Воно збiльшується з часом обробки i приводить до поверхневого квантування носi-
їв заряду. Внаслiдок наявностi двомiрних дiрок крiм переходiв електронiв мiж основними
зонами мають мiсце також переходи з участю квантованого рiвня в трикутнiй квантовiй
ямi. В результатi на сульфiдованих поверхнях в спектрах ЕВ (рис. 1, б, в) крiм переходу
E0 реєструвався додатковий перехiд з бiльшою енергiєю i зворотною полярнiстю (низько-
енергетична осциляцiя додатна). Це перехiд мiж першим квантованим рiвнем з енергiєю
е1 в валентнiй зонi i зоною провiдностi. Оскiльки в поверхневiй квантовiй ямi квантується
лише один тип носiїв заряду [1], змiна полярностi сигналу в додатковому переходi пiд-
ISSN 1025-6415 Доповiдi Нацiональної академiї наук України, 2007, №7 75
Рис. 3. Залежнiсть максимуму сигналу електровiдбивання в GaAs вiд постiйного змiщення при t = 20 хв
тверджує поверхневе квантування дiрок. Енергiя оптичного переходу в квантово-розмiрнiй
системi визначається виразом
E = E0 + еn, (2)
де E0 — енергiя мiжзонного переходу; n — квантове число.
В табл. 2 зведенi електроннi параметри, визначенi iз спектрiв ЕВ для E0 + e1 переходу
при рiзнiй тривалостi сульфiдної обробки зразка. Енергiя першого квантованого рiвня ви-
значалась iз виразу (2) за рiзницею енергiй E0 + e1 i E0. На вiдмiну вiд переходу E0, для
якого пiсля 5-хвилинної сульфiдацiї поверхнi спостерiгалися оптимальнi значення електрон-
них параметрiв (див. табл. 1), для переходу з участю квантованого рiвня (див. табл. 2) вони
не так сильно змiнювались, але також погiршувалися з часом сульфiдування. Енергiя кван-
тованого рiвня при цьому поступово зростала вiд 74 меВ до 108 меВ. За її значенням була
розрахована вiдповiдна ширина трикутної квантової ями L без урахування змiшування зон
важких i легких дiрок [14]
en =
~
2
2m∗
(
nπ
L
)2
, (3)
де ~ — постiйна Планка; n = 1.
На рис. 4 наведена залежнiсть мiж експериментально визначеним положенням першого
квантованого рiвня i значенням ширини квантової ями, яке було одержано з використанням
виразу (3) для рiзного часу сульфiдування. Iз рис. 4 видно, що ширина ями зменшується
вiд 9,5 нм до 7,8 нм при збiльшеннi часу сульфiдацiї зразка. Розсiювання збуджених свiтлом
носiїв заряду на стiнках вужчої ями збiльшує феноменологiчний параметр Γ i вiдповiдно
зменшує µ i τ (див. табл. 2).
Таблиця 2. Електроннi параметри поверхнi GaAs, визначенi iз спектрiв електровiдбивання в областi E0 + е1
переходу при рiзному часi сульфiдування
t, хв E0 + е1, еВ е1, еВ Γe1
, меВ τe1
, 10−14 с µ, смВ−1 с−1
5 1,451 0,074 75 0,88 2200
10 1,486 0,089 78 0,84 2100
20 1,498 0,108 84 0,78 1900
76 ISSN 1025-6415 Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine, 2007, №7
Рис. 4. Зв’язок мiж шириною поверхневої квантової ями i енергiєю першого квантованого рiвня в сульфi-
дованому зразку
Поява знакозмiнних осциляцiй у високоенергетичнiй областi спектрiв ЕВ сульфiдова-
них зразкiв (рис. 1, б, в) пов’язана з проявом ефекту Келдиша–Франца в арсенiдгалiєвiй
структурi з вбудованим електричним полем [15]. Iз залежностi
mπ = ϕ +
4
3
(
Em − Eg
~θ
)3/2
, (4)
де m i Em — порядковий номер екстремуму осциляцiї i його енергетичне положення; Eg =
= E0 + e1; ~θ — електрооптична енергiя; ϕ — фазовий фактор. Величина ~θ визначалася
iз нахилу залежностi (4/3π)(Em − Eg)
3/2 вiд номера осциляцiї, а фазовий фактор — по
перетину даної прямої з вiссю абсцис.
Електрооптична енергiя визначає польове уширення спектра. Вона пов’язана з поверх-
невим вбудованим електричним полем Fs [15] таким чином:
(~θ)3 =
e2
~
2F 2
s
2m∗
. (5)
З використанням виразу (5) розраховувалася величина Fs для рiзних умов сульфiдування
зразка. Данi, одержанi iз осциляцiй Келдиша–Франца, зведенi в табл. 3. Видно, що величина
вбудованого електричного поля зростає з часом сульфiдування, вiдповiдно зростає електро-
оптичне уширення спектра. Фазовий фактор ϕ також змiнює своє значення вiд −1 до 3/4.
Таким чином, результати дослiдження з використанням модуляцiйної спектроскопiї ЕВ
внутрiшнiх механiчних напружень i квантово-розмiрного ефекту на межi подiлу GaAs —
пасивуюча плiвка Ga2S3 показали, що ефективнiсть електронної пасивацiї визначається
тривалiстю сульфiдної обробки. Для покращення електронних параметрiв поверхнi GaAs
Таблиця 3. Електрооптичнi параметри сульфiдованої поверхнi GaAs, визначенi iз осциляцiй Келдиша–
Франца
t, хв (~θ)3/2, 10−2 еВ3/2
~θ, меВ Fs, 105 В/см ϕ, π
5 0,62 34 0,76 −1
10 1,77 68 2,7 0
20 2,7 90 3,2 3/4
ISSN 1025-6415 Доповiдi Нацiональної академiї наук України, 2007, №7 77
оптимальною є сульфiдна пасивацiя впродовж 5 хв. Подальша сульфiдна обробка поверхнi
збiльшує внутрiшнi механiчнi напруження розтягу, якi виникають внаслiдок невiдповiдно-
стi сталих гратки пiдкладки i пасивуючої плiвки Ga2S3. Одночасно збiльшуються вiд’ємний
поверхневий потенцiал, енергiя квантованого рiвня i вбудоване електричне поле, а шири-
на квантової ями зменшується. Зростання внутрiшнiх механiчних напружень i звуження
поверхневої квантової ями для квантованого рiвня погiршує електроннi параметри пасиво-
ваної поверхнi GaAs.
1. Саченко А. В., Снитко О.В. Фотоэффекты в приповерхностных слоях полупроводников. – Киев:
Наук. думка, 1984. – 231 с.
2. Hildenbrant S., Schreiber I., Kircher W., Kuzmenko R. Optical study of band bending and interface
recombination at Sb, S and Se covered gallium arsenide surfaces // Appl. Surf. Sci. – 1993. – 63. –
P. 153–157.
3. Paget D., Kusel A.O., Berkovits V. L. Sulfide-passivated GaAs(001). II. Electron properties // Phys. Rev.
B. – 1996. – 53, No 8. – P. 4615–4622.
4. Бессолов В.Н., Коненкова Е. В., Лебедев М.В., Zahn D.R. Химические эффекты при формирова-
нии электронной структуры поверхности полупроводников А3В5, сульфидированной в растворах //
Физика тв. тела. – 1999. – 41, № 5. – С. 875–878.
5. Венгер Є.Ф., Кирилова С. I., Примаченко В. Є., Чорнобай В.А. Система поверхневих електронних
станiв реальної i сульфiдованої поверхонь GaAs // Укр. фiз. журн. – 2001. – 46, № 1. – С. 77–82.
6. Бессолов В.Н., Коненкова Е.В., Лебедев М.В. Сравнение эффективности пассивации поверхности
GaAs из растворов сульфида натрия и сульфида аммония // Физика и техника полупроводников. –
1997. – 39, № 1. – С. 63–66.
7. Venger E.F., Matveeva L.A. Optical properties and energy spectrum of SixGe1−x/GaAs heterostructu-
res // Inorganical Materials. – 1997. – 33, No 2. – P. 112–115.
8. Матвеєва Л.О., Колядiна О.Ю., Матiюк I.М., Мiщук О.М. Структурна досконалiсть i електроннi
параметри сульфiдованої поверхнi арсенiду галiю // Фiзика i хiмiя тв. тiла. – 2006. – 7, № 3. –
С. 461–467.
9. Тягай В.А., Снитко О.В. Электроотражение света в полупроводниках. – Киев: Наук. думка, 1980. –
302 с.
10. Aspnes D. E. Third-derivative modulation spectroscopy with low field electroreflectance // Surf. Sci. –
1973. – 37, No 2. – P. 418–442.
11. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник под ред. Новоселовой А.В.
и Лазарева В.Б. – Москва: Мир, 1978. – 339 с.
12. Goñi A. R., Strössner K., Syassen K., Cardona M. Pressure dependence of direct and indirect optical
absorption in GaAs // Phys. Rev. B. – 1987. – 36, No 3. – P. 1581–1587.
13. Лебедев М.В., Новиков С. Б. Механизм формирования сульфидного пассивирующего покрытия на
поверхности полупроводников А3В5 // Физика и техника полупроводников. – 1993. – 35, № 3. –
С. 653–661.
14. Ю П., Кардона М. Основы физики полупроводников. – Москва: Физматгиз, 2002. – 560 с.
15. Венгер Є.Ф., Генцарь П.О., Матвеєва Л.О. Зв’язок мiж осциляцiями Келдиша–Франца та електрон-
ними параметрами в епiтаксiйних плiвках n-GaP та n-GaAs // Доп. НАН України. – 2004. – № 5. –
С. 81–88.
Надiйшло до редакцiї 12.02.2007Iнститут фiзики напiвпровiдникiв
iм. В. Є. Лашкарьова НАН України, Київ
78 ISSN 1025-6415 Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine, 2007, №7
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-1747 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1025-6415 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-11-29T02:00:10Z |
| publishDate | 2007 |
| publisher | Видавничий дім "Академперіодика" НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Венгер, Є.Ф. Матвеєва, Л.О. Колядіна, О.Ю. Клименко, А.П. 2008-09-02T17:07:19Z 2008-09-02T17:07:19Z 2007 Вплив внутрішніх механічних напружень і квантово-розмірного ефекту на ефективність сульфідної електронної пасивації GaAs / Є.Ф. Венгер, Л.О. Матвеєва, О.Ю. Колядіна, А.П. Клименко // Доп. НАН України. — 2007. — N 7. — С. 72–78. — Бібліогр.: 15 назв. — укp. 1025-6415 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/1747 621.321.592 We have investigated the real and chemically sulfided gallium arsenide surfaces by the electroreflectance method in the E0-spectral region. On the basis of quantitative analysis of the experimental data, the flat band potential, energies of quantized levels, width of a quantum well, and the intrinsic mechanical stresses depending on sulfiding conditions are determined. We have ascertained optimal conditions for the improvement of the electron parameters of the substrate-sulfide film interface on the electron passivation of GaAs. uk Видавничий дім "Академперіодика" НАН України Фізика Вплив внутрішніх механічних напружень і квантово-розмірного ефекту на ефективність сульфідної електронної пасивації GaAs Article published earlier |
| spellingShingle | Вплив внутрішніх механічних напружень і квантово-розмірного ефекту на ефективність сульфідної електронної пасивації GaAs Венгер, Є.Ф. Матвеєва, Л.О. Колядіна, О.Ю. Клименко, А.П. Фізика |
| title | Вплив внутрішніх механічних напружень і квантово-розмірного ефекту на ефективність сульфідної електронної пасивації GaAs |
| title_full | Вплив внутрішніх механічних напружень і квантово-розмірного ефекту на ефективність сульфідної електронної пасивації GaAs |
| title_fullStr | Вплив внутрішніх механічних напружень і квантово-розмірного ефекту на ефективність сульфідної електронної пасивації GaAs |
| title_full_unstemmed | Вплив внутрішніх механічних напружень і квантово-розмірного ефекту на ефективність сульфідної електронної пасивації GaAs |
| title_short | Вплив внутрішніх механічних напружень і квантово-розмірного ефекту на ефективність сульфідної електронної пасивації GaAs |
| title_sort | вплив внутрішніх механічних напружень і квантово-розмірного ефекту на ефективність сульфідної електронної пасивації gaas |
| topic | Фізика |
| topic_facet | Фізика |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/1747 |
| work_keys_str_mv | AT vengerêf vplivvnutríšníhmehaníčnihnapruženʹíkvantovorozmírnogoefektunaefektivnístʹsulʹfídnoíelektronnoípasivacíígaas AT matveêvalo vplivvnutríšníhmehaníčnihnapruženʹíkvantovorozmírnogoefektunaefektivnístʹsulʹfídnoíelektronnoípasivacíígaas AT kolâdínaoû vplivvnutríšníhmehaníčnihnapruženʹíkvantovorozmírnogoefektunaefektivnístʹsulʹfídnoíelektronnoípasivacíígaas AT klimenkoap vplivvnutríšníhmehaníčnihnapruženʹíkvantovorozmírnogoefektunaefektivnístʹsulʹfídnoíelektronnoípasivacíígaas |