Туннельно-термоактивационный механизм диффузии вакансий в квантовом кристалле
Рассмотрена модель вакансии в квантовом кристалле как псевдочастицы, которая имеет метастабильные квантовые состояния, локализованные на узлах решетки в потенциальных ямах кристаллического поля. Предполагается, что квантовую динамику такой вакансии можно описать в квазиклассическом приближении, а...
Gespeichert in:
| Datum: | 2017 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2017
|
| Schriftenreihe: | Физика низких температур |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175217 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Туннельно-термоактивационный механизм диффузии вакансий в квантовом кристалле / В.Д. Нацик, С.Н. Смирнов // Физика низких температур. — 2017. — Т. 43, № 10. — С. 1459-1470. — Бібліогр.: 23 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Рассмотрена модель вакансии в квантовом кристалле как псевдочастицы, которая имеет метастабильные квантовые состояния, локализованные на узлах решетки в потенциальных ямах кристаллического
поля. Предполагается, что квантовую динамику такой вакансии можно описать в квазиклассическом
приближении, а ее спектр состоит из широкой зоны и отщепленных от нее вниз одного или двух дискретных уровней. Диффузионное перемещение вакансии в объеме кристалла сводится к последовательности случайных туннельных и термически активированных скачков между узлами решетки. Показано,
что температурная зависимость коэффициента диффузии вакансий имеет специфическую особенность:
монотонное уменьшение при охлаждении с резким переходом от экспоненциального закона, характерного для высокотемпературной термически активированной диффузии, к атермическому туннельному процессу в области предельно низких температур. Аналогичная особенность недавно зарегистрирована при
экспериментальном изучении массопереноса в кристаллах He⁴ и He³ (ФНТ 41, 223 (2015); ФНТ 42, 1372
(2016)). Данный механизм диффузии вакансий и его анализ дополняют предложенную ранее
А.Ф. Андреевым и И.М. Лифшицем концепцию диффузионного течения квантового газа дефектоновквазичастиц с зонным энергетическим спектром (ЖЭТФ 56, 2057 (1969); УФН 118, 251 (1976)). |
|---|