Перенос носителей в квазиодномерных электронных системах над жидким гелием в условиях сильной локализации
Измерена проводимость носителей в квазиодномерной электронной системе над жидким гелием в температурном интервале 0,5-1,9 К в прижимающих электрических полях до 4 кВ/см на частоте 1,1 МГц. Квазиодномерные каналы реализовывались с использованием дифракционной оптической решетки, покрытой тонким сло...
Gespeichert in:
| Datum: | 1997 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1997
|
| Schriftenreihe: | Физика низких температур |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/175614 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Перенос носителей в квазиодномерных электронных системах над жидким гелием в условиях сильной локализации / Хидеки Яяма, Акихиса Томокийо, О.И. Киричек, И.Б. Беркутов, Ю.З. Ковдря // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 11. — С. 1172-1177. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |