Пленки Мо и сверхрешетки Mo/Si: сопоставление сверхпроводящих и кинетических характеристик

Приведены результаты сравнительных измерений зависимостей ряда сверхпроводящих и кинетических характеристик от толщины слоя на пленках молибдена и сверхрешетках Mo/Si на их основе. Обнаружено, что на единичных пленках отсутствуют размерные осцилляции, наблюдающиеся на свехрешетках Mo/Si. Из сопостав...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:1996
Hauptverfasser: Фогель, Н.Я., Бухштаб, Е.Н., Корецкая, О.А., Похила, А.С., Черкасова, В.Г., Юлин, С.А.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1996
Schriftenreihe:Физика низких температур
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176468
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Пленки Мо и сверхрешетки Mo/Si: сопоставление сверхпроводящих и кинетических характеристик / Н.Я. Фогель, Е.Н. Бухштаб, О.А. Корецкая, А.С. Похила, В.Г. Черкасова, С.А. Юлин // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 4. — С. 359-363. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:Приведены результаты сравнительных измерений зависимостей ряда сверхпроводящих и кинетических характеристик от толщины слоя на пленках молибдена и сверхрешетках Mo/Si на их основе. Обнаружено, что на единичных пленках отсутствуют размерные осцилляции, наблюдающиеся на свехрешетках Mo/Si. Из сопоставления данных на пленках и сверхрешетках сделано заключение, что осцилляционные эффекты, наблюдающиеся на сверхрешетках Mo/Si, нельзя объяснить в терминах обычного квантового размерного эффекта. Этот эффект отсутствует на пленках из-за высокой степени разупорядочения слоев Мо, в которых длины свободного пробега электронов намного меньше, чем толщина пленок. Размерные осцилляции, связанные с пространственным квантованием спектра носителей, не должны наблюдаться и на сверхрешетках, в которых слои молибдена разупорядочены столь же сильно, как и в единичных пленках. Объяснение осцилля-ционных эффектов на сверхрешетках следует, по-видимому, искать, основываясь на туннельных свойствах полупроводниковых барьеров, разделяющих металлические слои.