Квантовые осцилляционные эффекты в тонком слое нормального металла, граничащего со сверхпроводником
На примере намагниченности тонкого слоя нормального металла на сверхпроводящей подложке обсуждается роль андреевского отражения носителей заряда от межфазной границы в квантовых магниторазмерных осцилляционных эффектах. На прикладі намагніченості тонкого шару нормального металу на надпровідній підкл...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Datum: | 1996 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1996
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176490 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Квантовые осцилляционные эффекты в тонком слое нормального металла, граничащего со сверхпроводником / В.Г. Песчанский, Х.А. Ролдан Лопес, Х. Идрого // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 4. — С. 420-424. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |