Model of smoothing roughness on GaAs wafer surface by using nonabrasive chemical-and-mechanical polishing
Studied experimentally in this work has been the process of smoothing relief roughness on the GaAs wafer surface by using the method of contactless nonabrasive chemical-and-mechanical polishing under conditions of its rotational movement relatively to the polishing plate. The model of this process h...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2017 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2017
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/214904 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Model of smoothing roughness on GaAs wafer surface by using nonabrasive chemical-and-mechanical polishing / A.V. Fomin, G.A. Pashchenko, M.Yu. Kravetskyi, I.G. Lutsyshyn // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2017. — Т. 20, № 1. — С. 118-122. — Бібліогр.: 3 назв. — англ. |