Effect of thermal annealing on electrical and photoelectrical properties of n-InSb
InSb wafers of n-type conductivity were annealed at 300, 370, and 400 °C for 30 min in an open tube system under a flowing argon ambient. The conductivity type conversion is revealed for the first time in samples with the electron concentration ~1.0•10¹⁴ cm⁻³ for all annealing temperatures. Experime...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2017 |
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2017
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/214905 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Effect of thermal annealing on electrical and photoelectrical properties of n-InSb / S.V. Stariy, A.V. Sukach, V.V. Tetyorkin, V.O. Yukhymchuk, T.R. Stara // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2017. — Т. 20, № 1. — С. 105-109. — Бібліогр.: 20 назв. — англ. |