Electronic structure of Ag₈GeS₆
For the first time, the energy band structure, total and partial densities of states of Ag₈GeS₆ crystal were calculated using the ab initio density functional method in LDA and LDA+U approximations. Argyrodite is a direct-gap semiconductor with the calculated band gap width Eᵍᵈ = 1.46 eV in the LDA+...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Datum: | 2017 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2017
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/214917 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Electronic structure of Ag₈GeS₆ / D.I. Bletskan, I.P. Studenyak, V.V. Vakulchak, A.V. Lukach // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2017. — Т. 20, № 1. — С. 19-25. — Бібліогр.: 21 назв. — англ. |