Analysis of a quantum well structure optical integrated device
This paper demonstrates theoretical modeling of a quantum well structure optical integrated device. The constituent devices of the developed structure are a Quantum Well Infrared Photodetector (QWIP) to detect the optical infrared signal, a Heterojunction Phototransistor (HPT) to amplify the signal,...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2017 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2017
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/214931 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Analysis of a quantum well structure optical integrated device / Sh.M. Eladl, M.H. Saad // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2017. — Т. 20, № 2. — С. 204-209. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineБудьте першим, хто залишить коментар!