Зображення обкладинки

Oxygen ion-beam modification of vanadium oxide films for reaching a high value of the resistance temperature coefficient

A new method to prepare vanadium oxide with a high temperature coefficient of resistance (TCR) and low resistance for uncooled micro-bolometers has been proposed. Amorphous vanadium oxide films with V₂O₃ phase inclusions have been fabricated on silicon and silica substrates at a temperature of 200 °...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:2017
Автори: Sabov, T.M., Oberemok, O.S., Dubikovskyi, O.V., Melnik, V.P., Kladko, V.P., Romanyuk, B.M., Popov, V.G., Gudymenko, O.Yo., Safriuk, N.V.
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2017
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/214940
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Oxygen ion-beam modification of vanadium oxide films for reaching a high value of the resistance temperature coefficient / T.M. Sabov, O.S. Oberemok, O.V. Dubikovskyi, V.P. Melnik, V.P. Kladko, B.M. Romanyuk, V.G. Popov, O.Yo. Gudymenko, N.V. Safriuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2017. — Т. 20, № 2. — С. 153-158. — Бібліогр.: 13 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Схожі ресурси