Effective lifetime of minority carriers in black silicon nano-textured by cones and pyramids

• Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Дата: 2017
• ISSN: 1560-8034
• Автори: Onyshchenko, V.F., Karachevtseva, L.A., Lytvynenko, O.O., Plakhotnyuk, M.M., Stronska, O.Y.
• Формат: Стаття
• Мова: Англійська
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2017
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/214951
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Effective lifetime of minority carriers in black silicon nano-textured by cones and pyramids / V.F. Onyshchenko, L.A. Karachevtseva, O.O. Lytvynenko, M.M. Plakhotnyuk, O.Y. Stronska // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2017. — Т. 20, № 3. — С. 325-329. — Бібліогр.: 18 назв. — англ.

We calculated the dependence of the effective minority-carrier lifetime in black-silicon nano-textured with cones and pyramids on the diameter of the cone base, the side of the pyramid base, and the height of the cone and pyramid. The numerical calculation shows that the n-type polished plate of sin...