Trap-assisted conductivity in anodic oxide on InSb
The direct current conductivity of the anodic oxide of InSb has been investigated as a function of applied bias and temperature. Proposed in this work is a model of conductivity that includes ohmic, trap-assisted tunneling, and Poole–Frenkel conduction processes. Two defect states were found in the...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2017 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2017
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/214992 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Trap-assisted conductivity in anodic oxide on InSb / G.V. Beketov, A.V. Sukach, V.V. Tetyorkin, S.P. Trotsenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2017. — Т. 20, № 4. — С. 470-474. — Бібліогр.: 28 назв. — англ. |