Optical properties of thin erbium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC substrates with different structures
The comparative analysis of optical characteristics inherent to Er₂O₃/SiC and Er₂O₃/por-SiC/SiC structures has been performed. It has been shown that, regardless of the substrate on which the Er₂O₃ film is formed, an increase in the rapid thermal annealing time leads to an improvement in the oxide f...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2017 |
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2017
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/214993 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Optical properties of thin erbium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC substrates with different structures / Yu.Yu. Bacherikov, R.V. Konakova, O.B. Okhrimenko, N.I. Berezovska, L.M. Kapitanchuk, A.M. Svetlichnyi // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2017. — Т. 20, № 4. — С. 465-469. — Бібліогр.: 27 назв. — англ. |