Physical mechanisms providing formation of ohmic contacts, metal-semiconductor (Review)
This review is devoted to the presentation and analysis of physical mechanisms of ohmic contact formation in semiconductors. In addition to the classical mechanisms known for decades, new mechanisms for current flow in ohmic contacts researched over the recent decade are described. Used in this revi...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2018 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2018
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215148 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Physical mechanisms providing formation of ohmic contacts, metal-semiconductor (Review) / A.V. Sachenko, R.V. Konakova, A.Ye. Belyaev // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2018. — Т. 21, № 1. — С. 5-40. — Бібліогр.: 105 назв. — англ. |