Зображення обкладинки

Physical mechanisms providing formation of ohmic contacts, metal-semiconductor (Review)

This review is devoted to the presentation and analysis of physical mechanisms of ohmic contact formation in semiconductors. In addition to the classical mechanisms known for decades, new mechanisms for current flow in ohmic contacts researched over the recent decade are described. Used in this revi...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2018
Автори:	Sachenko, A.V., Konakova, R.V., Belyaev, A.Ye.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2018
Теми:	Semiconductor Physics
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215148
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Physical mechanisms providing formation of ohmic contacts, metal-semiconductor (Review) / A.V. Sachenko, R.V. Konakova, A.Ye. Belyaev // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2018. — Т. 21, № 1. — С. 5-40. — Бібліогр.: 105 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Physical mechanisms providing formation of ohmic contacts metal-semiconductor (Review)
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2018)

Method for data processing in application to ohmic contacts
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2019)

Influence of parameters inherent to ohmic contacts on properties of microwave avalanche transit-time diodes
за авторством: Kudryk, Ya.Ya., та інші
Опубліковано: (2019)

Comparative characteristics of TiO₂(Er₂O₃, Dy₂O₃)/por-SiC/SiC heterostructures (Review)
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2020)

Peculiarities of the study of Au-Ti-Pd-n⁺-n-n⁺-Si multilayer contact structure to avalanche transit-time diodes
за авторством: Romanets, P.M., та інші
Опубліковано: (2019)

Cyclotron radiation of semiconductor crystals
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2018)

Key parameters of commercial silicon solar cells with rear metallization
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2019)

Synergetics of the instability and randomness in the formation of gradient-modified semiconductor structures
за авторством: Yurkovych, N.V., та інші
Опубліковано: (2018)

Self-organization in irradiated semiconductor crystals caused by thermal annealing
за авторством: Zavada, M., та інші
Опубліковано: (2018)

Conductivity of molecular semiconductor material based on monomeric and polymeric methacroylacetophenone
за авторством: Berezhnytska, O.S., та інші
Опубліковано: (2019)

Transformation of structural defects in semiconductors under the action of electromagnetic and magnetic fields, causing resonant phenomena
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2019)

Transformation of defects in semiconductor structures under the influence of microwave electromagnetic radiation, which is stimulated by drift phenomena
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2020)

Influence of the near-surface regions of the space charge in semiconductor crystals on defect transformation stimulated by the action of magnetic fields
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2021)

Recombination statistics of non-equilibrium carriers in the model of a semiconductor with donor-acceptor pairs possessing variable recombination activity
за авторством: Leyderman, A.Yu., та інші
Опубліковано: (2020)

Mechanisms of contact resistance formation in ohmic contacts with high dislocation density (review)
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Effect of ultrasound irradiation on the electro-physical properties of the structure of Al-Al₂O₃-CdTe
за авторством: Uteniyazov, A.K., та інші
Опубліковано: (2019)

Semiconductor surface spectroscopy using transverse acousto-electric effect: Role of surface charge in photo-processes at ZnS/Si interface
за авторством: Tatyanenko, N.P., та інші
Опубліковано: (2018)

1/f noise and carrier transport mechanisms in InSb p⁺-n junctions
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2018)

Studying the mechanical properties of (Cu₁₋ₓAgₓ)₇GeS₅I mixed crystals by using the micro-indentation method
за авторством: Bilanych, V.V., та інші
Опубліковано: (2018)

Influence of cation substitution on the mechanical properties of (Cu₁₋ₓAgₓ)₇GeSe₅I mixed crystals and composites on their base
за авторством: Bendak, A.V., та інші
Опубліковано: (2020)

Thin dysprosium oxide films formed by rapid thermal annealing on porous SiC substrates
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2018)

Conduction mechanisms of the reverse leakage current of β-Ga₂O₃ Schottky barrier diodes
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2019)

Combination of thermionic emission and tunneling mechanisms to analyze the leakage current for 4H-SiC Schottky barrier diodes
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2019)

Mechanical properties of Cu₆PS₅І superionic crystals and thin films
за авторством: Bilanych, V.V., та інші
Опубліковано: (2019)

Mechanical properties of superionic ceramics based on (Cu₁₋ₓAgₓ)₇GeSe₅I solid solutions
за авторством: Bilanych, V.S., та інші
Опубліковано: (2021)

Thermal annealing ambiance effect on phosphorus passivation and reactivation mechanisms in silicon-based Schottky diodes hydrogenated by MW-ECR plasma
за авторством: Belfennache, D., та інші
Опубліковано: (2021)

Account of surface contribution to the thermodynamic properties of lead selenide films
за авторством: Nykyruy, L.I., та інші
Опубліковано: (2019)

EPR study of paramagnetic centers in SiO₂:C:Zn nanocomposites obtained by infiltration of fumed silica with luminescent Zn(acac)₂ solution
за авторством: Savchenko, D.V., та інші
Опубліковано: (2021)

Temperature dependence of contact resistance of Au−Ti−Pd2Si−n⁺ -Si ohmic contacts
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2010)

Modified expressions of field and thermionic-field emission for Schottky barrier diodes in the reverse regime
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2021)

Determination of the temperature dependence of electron effective mass in 4H-SiC from reverse current-voltage characteristics of 4H-SiC Schottky barrier diodes
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2020)

Study of structural, electrical, and optical properties of MoRe₀.₀₀₁Se₁.₉₉₉ single crystal
за авторством: Vora, A.M.
Опубліковано: (2020)

Non-recombination injection mode
за авторством: Leyderman, A.Yu., та інші
Опубліковано: (2021)

Features of current transport in Al–Al₂O₃–-CdTe–Mo structure
за авторством: Uteniyazov, A.K., та інші
Опубліковано: (2020)

Nature and kinetics of paramagnetic defects in chitosan induced by beta-irradiation of chitosan
за авторством: Konchits, A.A., та інші
Опубліковано: (2018)

Effect of the diffusion temperature on the interaction of clusters with impurity atoms in silicon
за авторством: Saparniyazova, Z.M., та інші
Опубліковано: (2021)

Nanostructured SiC as a promising material for the cold electron emitters
за авторством: Goriachko, A.M., та інші
Опубліковано: (2021)

Effective minority carrier lifetime in double-sided macroporous silicon
за авторством: Onyshchenko, V.F., та інші
Опубліковано: (2020)

Condensons and bicondensons in a one-dimensional systems
за авторством: Kashirina, N.I., та інші
Опубліковано: (2018)

Rotation of a thin heated plate caused by its own coherent thermal radiation
за авторством: Pipa, V.I., та інші
Опубліковано: (2020)