Be-ion-implanted p-n InSb diode for infrared applications. Modeling, fabrication, and characterization
Transport theory for modeling the electric characteristics of high-quality p-n diodes has been developed. This theory takes into account a non-uniform profile of p-doping, finite thickness of the quasi-neutral regions, and possible non-uniformity of the bulk recombination coefficient. The theory is...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2018 |
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2018
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215283 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Be-ion-implanted p-n InSb diode for infrared applications. Modeling, fabrication, and characterization / V.V. Korotyeyev, V.O. Kochelap, S.V. Sapon, B.M. Romaniuk, V.P. Melnik, O.V. Dubikovskyi, T.M. Sabov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2018. — Т. 21, № 3. — С. 294-306. — Бібліогр.: 33 назв. — англ. |