Features of electrochemical processes at the boundary p-GaAs-HF water solution
Investigated in this work are polarization curves typical for the interface p-GaAs-HF water solution with the concentration of fluoric acid between 1 and 10 mass.%. The shape of these curves has been compared with that following from analytical expressions obtained with account of the general equati...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2018 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2018
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215287 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Features of electrochemical processes at the boundary p-GaAs-HF water solution / G.A. Pashchenko, M.Yu. Kravetskyi, L.I. Trishchuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2018. — Т. 21, № 3. — С. 277-281. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. |