Features of electrochemical processes at the boundary p-GaAs-HF water solution
Investigated in this work are polarization curves typical for the interface p-GaAs-HF water solution with the concentration of fluoric acid between 1 and 10 mass.%. The shape of these curves has been compared with that following from analytical expressions obtained with account of the general equati...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2018 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2018
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215287 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Features of electrochemical processes at the boundary p-GaAs-HF water solution / G.A. Pashchenko, M.Yu. Kravetskyi, L.I. Trishchuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2018. — Т. 21, № 3. — С. 277-281. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Features of electrochemical processes at the boundary p-GaAs-HF water solution
за авторством: G. A. Pashchenko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: G. A. Pashchenko, та інші
Опубліковано: (2018)
Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vinoslavskii, M.M., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Vinoslavskii, M.M., та інші
Опубліковано: (2018)
Determination of crystallization conditions of Ge/GaAs heterostructures in the scanning LPE method
за авторством: Tsybulenko, V.V., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Tsybulenko, V.V., та інші
Опубліковано: (2020)
Changes in impurity radiative recombination and surface morphology induced by the treatment of GaP in a weak magnetic field
за авторством: Redko, R.A., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Redko, R.A., та інші
Опубліковано: (2020)
Reduction of reverse leakage current at the TiO₂/GaN interface in field plate Ni/Au/-GaN Schottky diodes
за авторством: Shashikala, B.N., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Shashikala, B.N., та інші
Опубліковано: (2021)
Diffusion properties of electrons in GaN crystals subjected to electric and magnetic fields
за авторством: Syngaivska, G.I., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Syngaivska, G.I., та інші
Опубліковано: (2018)
Conduction mechanisms of the reverse leakage current of β-Ga₂O₃ Schottky barrier diodes
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2019)
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2019)
1/f noise and carrier transport mechanisms in InSb p⁺-n junctions
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2018)
Features of current transport in Al–Al₂O₃–-CdTe–Mo structure
за авторством: Uteniyazov, A.K., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Uteniyazov, A.K., та інші
Опубліковано: (2020)
Sensory features of thiacalix[4]arene molecules towards volatile halogen-aromatic compounds
за авторством: Kazantseva, Z.I., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Kazantseva, Z.I., та інші
Опубліковано: (2020)
Growth-sector dependence of morphological, structural, and optical features in boron-doped HPHT diamond crystals
за авторством: Strelchuk, V.V., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Strelchuk, V.V., та інші
Опубліковано: (2021)
Features of the dielectric properties of medical thermal indicators based on dispersions of cholesteric liquid crystals in the polymer matrix
за авторством: Kovalchuk, O.V., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Kovalchuk, O.V., та інші
Опубліковано: (2020)
Features of structural changes in mosaic Ge:Sb according to X-ray diffractometry and electron backscatter diffraction data
за авторством: Borcha, M.D., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Borcha, M.D., та інші
Опубліковано: (2019)
Account of surface contribution to the thermodynamic properties of lead selenide films
за авторством: Nykyruy, L.I., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Nykyruy, L.I., та інші
Опубліковано: (2019)
Mechanical properties of superionic ceramics based on (Cu₁₋ₓAgₓ)₇GeSe₅I solid solutions
за авторством: Bilanych, V.S., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Bilanych, V.S., та інші
Опубліковано: (2021)
Elastic properties of CdTe₁₋ₓSeₓ (x = 1/16) solid solution: First principles study
за авторством: Ilchuk, H.A., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Ilchuk, H.A., та інші
Опубліковано: (2020)
Influence of cation substitution on the electrical conductivity of microcrystalline ceramics based on (Cu₁₋ₓAgₓ)₇GeSe₅I solid solutions
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2021)
EPR study of paramagnetic centers in SiO₂:C:Zn nanocomposites obtained by infiltration of fumed silica with luminescent Zn(acac)₂ solution
за авторством: Savchenko, D.V., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Savchenko, D.V., та інші
Опубліковано: (2021)
Crystal structure and electrical properties of Ag₆PS₅I single crystal
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2021)
Dielectric properties of nematic liquid crystal with impurities of supramolecular Ni-TMTAA-TCNQ complexes
за авторством: Vovk, V.E., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Vovk, V.E., та інші
Опубліковано: (2020)
Modified expressions of field and thermionic-field emission for Schottky barrier diodes in the reverse regime
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2021)
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2021)
Effect of ultrasound irradiation on the electro-physical properties of the structure of Al-Al₂O₃-CdTe
за авторством: Uteniyazov, A.K., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Uteniyazov, A.K., та інші
Опубліковано: (2019)
Comparative characteristics of TiO₂(Er₂O₃, Dy₂O₃)/por-SiC/SiC heterostructures (Review)
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2020)
Thin dysprosium oxide films formed by rapid thermal annealing on porous SiC substrates
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2018)
Semiconductor surface spectroscopy using transverse acousto-electric effect: Role of surface charge in photo-processes at ZnS/Si interface
за авторством: Tatyanenko, N.P., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Tatyanenko, N.P., та інші
Опубліковано: (2018)
Inversion of spin levels in exchange-coupled pairs under combined time reversal
за авторством: Geru, I.I.
Опубліковано: (2018)
за авторством: Geru, I.I.
Опубліковано: (2018)
Model phonon spectra of Cu₇SiS₅I and Ag₇SiS₅I crystals
за авторством: Nebola, I.I., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Nebola, I.I., та інші
Опубліковано: (2020)
Cyclotron radiation of semiconductor crystals
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2018)
Key parameters of commercial silicon solar cells with rear metallization
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2019)
Nanostructured SiC as a promising material for the cold electron emitters
за авторством: Goriachko, A.M., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Goriachko, A.M., та інші
Опубліковано: (2021)
Determination of the temperature dependence of electron effective mass in 4H-SiC from reverse current-voltage characteristics of 4H-SiC Schottky barrier diodes
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2020)
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2020)
Effective minority carrier lifetime in double-sided macroporous silicon
за авторством: Onyshchenko, V.F., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Onyshchenko, V.F., та інші
Опубліковано: (2020)
Mechanical properties of Cu₆PS₅І superionic crystals and thin films
за авторством: Bilanych, V.V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Bilanych, V.V., та інші
Опубліковано: (2019)
Influence of anion substitution on electrical conductivity of composites based on liquid crystal with Cu₆PS₅X (X = I, Br) nanoparticles
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2019)
Synergetics of the instability and randomness in the formation of gradient-modified semiconductor structures
за авторством: Yurkovych, N.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Yurkovych, N.V., та інші
Опубліковано: (2018)
Electrical properties of cation-substituted Ag₇(Si₁₋ₓGeₓ)S₅I single crystals
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2021)
Physical mechanisms providing formation of ohmic contacts, metal-semiconductor (Review)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2018)
Influence of electrically neutral nickel atoms on electrical and recombination parameters of silicon
за авторством: Bakhadyrkhanov, M.K., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Bakhadyrkhanov, M.K., та інші
Опубліковано: (2020)
Recombination statistics of non-equilibrium carriers in the model of a semiconductor with donor-acceptor pairs possessing variable recombination activity
за авторством: Leyderman, A.Yu., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Leyderman, A.Yu., та інші
Опубліковано: (2020)
Peculiarities of specular infrared reflection spectra of ZnO-based ceramics
за авторством: Melnichuk, O.V., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Melnichuk, O.V., та інші
Опубліковано: (2021)