2D semiconductor structures as a basis for new high-tech devices (Review)
In this article, we present a short overview of the Ukrainian contribution to the physics of 2D semiconductor structures as a basis for high-tech devices of modern nanoelectronics, together with some new results in this field. The possibility of creating “low-threshold” 2D lasers in Si₃N₄-GaAs and A...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2018 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2018
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215323 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | 2D semiconductor structures as a basis for new high-tech devices (Review) / D.V. Korbutyak, V.G. Lytovchenko, M.V. Strikha // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2018. — Т. 21, № 4. — С. 380-386. — Бібліогр.: 20 назв. — англ. |