Thin dysprosium oxide films formed by rapid thermal annealing on porous SiC substrates
In this paper, we consider the effect of rapid thermal annealing (RTA) on the properties of Dy₂O₃ film formed on the surface of a substrate with a por-SiC/SiC structure. The atomic composition of the films under study was analyzed as a function of the RTA time. It is shown that the RTA method makes...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2018 |
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2018
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215326 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Thin dysprosium oxide films formed by rapid thermal annealing on porous SiC substrates / Yu.Yu. Bacherikov, R.V. Konakova, O.B. Okhrimenko, N.I. Berezovska, O.S. Lytvyn, L.M. Kapitanchuk, A.M. Svetlichnyi // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2018. — Т. 21, № 4. — С. 360-364. — Бібліогр.: 21 назв. — англ. |