Зображення обкладинки

Thin dysprosium oxide films formed by rapid thermal annealing on porous SiC substrates

In this paper, we consider the effect of rapid thermal annealing (RTA) on the properties of Dy₂O₃ film formed on the surface of a substrate with a por-SiC/SiC structure. The atomic composition of the films under study was analyzed as a function of the RTA time. It is shown that the RTA method makes...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2018
ISSN:	1560-8034
Автори:	Bacherikov, Yu.Yu., Konakova, R.V., Okhrimenko, O.B., Berezovska, N.I., Lytvyn, O.S., Kapitanchuk, L.M., Svetlichnyi, A.M.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2018
Теми:	Semiconductor physics
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215326
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Thin dysprosium oxide films formed by rapid thermal annealing on porous SiC substrates / Yu.Yu. Bacherikov, R.V. Konakova, O.B. Okhrimenko, N.I. Berezovska, O.S. Lytvyn, L.M. Kapitanchuk, A.M. Svetlichnyi // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2018. — Т. 21, № 4. — С. 360-364. — Бібліогр.: 21 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Thin dysprosium oxide films formed by rapid thermal annealing on porous SiC substrates
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2018)

Optical properties of thin erbium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC substrates with different structures
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2017)

Comparison of properties inherent to thin titanium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC and porous SiC substrates
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2018)

Comparative characteristics of TiO₂(Er₂O₃, Dy₂O₃)/por-SiC/SiC heterostructures (Review)
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2020)

Comparison of properties inherent to thin titanium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC and porous SiC substrates
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2018)

Optical properties of thin erbium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC substrates with different structures
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2017)

Evolution of structural and electrophysical parameters of Ni/SiC contacts at rapid thermal annealing
за авторством: Litvinov, V.L., та інші
Опубліковано: (2002)

Conductivity of molecular semiconductor material based on monomeric and polymeric methacroylacetophenone
за авторством: Berezhnytska, O.S., та інші
Опубліковано: (2019)

Effect of microwave radiation on optical transmission spectra in SiO₂/SiC structures
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2002)

Preparation of quaternary compounds Cu₂ZnSnS₄ by using the self-propagating high-temperature synthesis
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2021)

Self-organization in irradiated semiconductor crystals caused by thermal annealing
за авторством: Zavada, M., та інші
Опубліковано: (2018)

Nanostructured SiC as a promising material for the cold electron emitters
за авторством: Goriachko, A.M., та інші
Опубліковано: (2021)

Determination of the temperature dependence of electron effective mass in 4H-SiC from reverse current-voltage characteristics of 4H-SiC Schottky barrier diodes
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2020)

Combination of thermionic emission and tunneling mechanisms to analyze the leakage current for 4H-SiC Schottky barrier diodes
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2019)

Thermal annealing ambiance effect on phosphorus passivation and reactivation mechanisms in silicon-based Schottky diodes hydrogenated by MW-ECR plasma
за авторством: Belfennache, D., та інші
Опубліковано: (2021)

Interface features of SiO₂/SiC heterostructures according to methods for producing the SiO₂ thin films
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2012)

Physical mechanisms providing formation of ohmic contacts, metal-semiconductor (Review)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2018)

Calculation of spin-Hamiltonian constants for extended defects (Vsᵢ-Vc)⁰ (Ky5) in silicon carbide polytype 3C-SiC
за авторством: Shanina, B.D., та інші
Опубліковано: (2018)

Investigation of SiC films obtained on a porous-Si/Si substrate
за авторством: V. V. Kidalov, та інші
Опубліковано: (2024)

Peculiarities of the study of Au-Ti-Pd-n⁺-n-n⁺-Si multilayer contact structure to avalanche transit-time diodes
за авторством: Romanets, P.M., та інші
Опубліковано: (2019)

Study of postimplantation annealing of SiC
за авторством: Avramenko, S.F., та інші
Опубліковано: (2001)

Method for data processing in application to ohmic contacts
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2019)

Effect of rapid thermal annealing on properties of contacts Au-Mo-TiBx-GaAs
за авторством: Venger, E.F., та інші
Опубліковано: (1999)

Account of surface contribution to the thermodynamic properties of lead selenide films
за авторством: Nykyruy, L.I., та інші
Опубліковано: (2019)

Growth-sector dependence of morphological, structural, and optical features in boron-doped HPHT diamond crystals
за авторством: Strelchuk, V.V., та інші
Опубліковано: (2021)

Recombination statistics of non-equilibrium carriers in the model of a semiconductor with donor-acceptor pairs possessing variable recombination activity
за авторством: Leyderman, A.Yu., та інші
Опубліковано: (2020)

Peculiarities of specular infrared reflection spectra of ZnO-based ceramics
за авторством: Melnichuk, O.V., та інші
Опубліковано: (2021)

Features of electrochemical processes at the boundary p-GaAs-HF water solution
за авторством: Pashchenko, G.A., та інші
Опубліковано: (2018)

Determination of crystallization conditions of Ge/GaAs heterostructures in the scanning LPE method
за авторством: Tsybulenko, V.V., та інші
Опубліковано: (2020)

Variation of optical parameters of multilayer structures with thin silicon layers at laser annealing
за авторством: Okhrimenko, O.B.
Опубліковано: (2014)

Phase transition in vanadium oxide films formed by multistep deposition
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2021)

Four-particle formalism of the CDW method in two-electron charge-exchange reactions
за авторством: Lazur, V.Yu., та інші
Опубліковано: (2020)

Optical properties of dysprosium monoantimonide thin films
за авторством: I. G. Tabatadze, та інші
Опубліковано: (2013)

Optical properties of dysprosium monoantimonide thin films
за авторством: Tabatadze, I.G., та інші
Опубліковано: (2013)

Substitution of calcium with neodymium and dysprosium in hydroxyapatite structure
за авторством: Get‘man, E.I., та інші
Опубліковано: (2005)

Taking the Coulomb effects into account in the reactions of one-electron charge exchange
за авторством: Lazur, V.Yu., та інші
Опубліковано: (2019)

Non-recombination injection mode
за авторством: Leyderman, A.Yu., та інші
Опубліковано: (2021)

Features of current transport in Al–Al₂O₃–-CdTe–Mo structure
за авторством: Uteniyazov, A.K., та інші
Опубліковано: (2020)

Elastic properties of CdTe₁₋ₓSeₓ (x = 1/16) solid solution: First principles study
за авторством: Ilchuk, H.A., та інші
Опубліковано: (2020)

Synthesis and characterisation of new potassium-containing argyrodite-type compounds
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2019)