Bletskan, D., & Frolova, V. (2018). Influence of intrinsic point defects and substitutional impurities (Cl, I → S) on the electronic structure of 2H-Sn₂. Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Bletskan, D.I, та V.V Frolova. "Influence of Intrinsic Point Defects and Substitutional Impurities (Cl, I → S) on the Electronic Structure of 2H-Sn₂." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics 2018.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Bletskan, D.I, та V.V Frolova. "Influence of Intrinsic Point Defects and Substitutional Impurities (Cl, I → S) on the Electronic Structure of 2H-Sn₂." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2018.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.