Зображення обкладинки

Influence of intrinsic point defects and substitutional impurities (Cl, I → S) on the electronic structure of 2H-Sn₂

It was performed the systematic investigation of the chemical modification regularities of electronic structure at the composition changes of “ideal” 2H-SnS₂ crystal was performed by using the self-consistent density functional theory method in the supercell model. The phases obtained during doping...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2018
Автори:	Bletskan, D.I., Frolova, V.V.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2018
Теми:	Semiconductor physics
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215327
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Influence of intrinsic point defects and substitutional impurities (Cl, I → S) on the electronic structure of 2H-Sn₂ / D.I. Bletskan, V.V. Frolova // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2018. — Т. 21, № 4. — С. 345-359. — Бібліогр.: 36 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Influence of intrinsic point defects and substitutional impurities (Cl, I-S) on the electronic structure of 2H-Sn2
за авторством: D. I. Bletskan, та інші
Опубліковано: (2018)

Electronic structure, optical, and photoelectrical properties of crystalline Si₂Te₃
за авторством: Bletskan, D.I., та інші
Опубліковано: (2019)

Influence of cation substitution on the mechanical properties of (Cu₁₋ₓAgₓ)₇GeSe₅I mixed crystals and composites on their base
за авторством: Bendak, A.V., та інші
Опубліковано: (2020)

Influence of anion substitution on electrical conductivity of composites based on liquid crystal with Cu₆PS₅X (X = I, Br) nanoparticles
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2019)

Dielectric properties of nematic liquid crystal with impurities of supramolecular Ni-TMTAA-TCNQ complexes
за авторством: Vovk, V.E., та інші
Опубліковано: (2020)

Nature and kinetics of paramagnetic defects in chitosan induced by beta-irradiation of chitosan
за авторством: Konchits, A.A., та інші
Опубліковано: (2018)

Dynamics of the conductance temperature dependence for a composite based on linear polyethylene with impurity of soot and calcite
за авторством: Poberezhets, S.I., та інші
Опубліковано: (2019)

Transformation of structural defects in semiconductors under the action of electromagnetic and magnetic fields, causing resonant phenomena
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2019)

Transformation of defects in semiconductor structures under the influence of microwave electromagnetic radiation, which is stimulated by drift phenomena
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2020)

Diffusion properties of electrons in GaN crystals subjected to electric and magnetic fields
за авторством: Syngaivska, G.I., та інші
Опубліковано: (2018)

Four-particle formalism of the CDW method in two-electron charge-exchange reactions
за авторством: Lazur, V.Yu., та інші
Опубліковано: (2020)

Taking the Coulomb effects into account in the reactions of one-electron charge exchange
за авторством: Lazur, V.Yu., та інші
Опубліковано: (2019)

Calculation of spin-Hamiltonian constants for extended defects (Vsᵢ-Vc)⁰ (Ky5) in silicon carbide polytype 3C-SiC
за авторством: Shanina, B.D., та інші
Опубліковано: (2018)

Electronic and optical properties of β-HgS
за авторством: Akinlami, J.O., та інші
Опубліковано: (2019)

The electronic, structural and paramagnetic properties of magnesium telluride
за авторством: Akinlami, J.O., та інші
Опубліковано: (2019)

Combination of thermionic emission and tunneling mechanisms to analyze the leakage current for 4H-SiC Schottky barrier diodes
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2019)

The phenomenon of magnetic exchange bias in ferromagnetic nanocomposites grown by electron beam evaporation
за авторством: Radchenko, M.V., та інші
Опубліковано: (2018)

Influence of inter-electron scattering on the form of the non-equilibrium distribution function of band carriers
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2018)

Influence of inter-electron scattering on the form of the non-equilibrium distribution function of band carriers
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2019)

Electron and hole effective masses in heavily boron-doped silicon nanostructures determined using cyclotron resonance experiments
за авторством: Savchenko, D.V., та інші
Опубліковано: (2018)

Features of structural changes in mosaic Ge:Sb according to X-ray diffractometry and electron backscatter diffraction data
за авторством: Borcha, M.D., та інші
Опубліковано: (2019)

Studying the mechanical properties of (Cu₁₋ₓAgₓ)₇GeS₅I mixed crystals by using the micro-indentation method
за авторством: Bilanych, V.V., та інші
Опубліковано: (2018)

Cyclotron radiation of semiconductor crystals
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2018)

1/f noise and carrier transport mechanisms in InSb p⁺-n junctions
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2018)

Temperature dependence of dielectric properties of the liquid crystal 6CB with the embedded Ag₇GeS₅I nanoparticles
за авторством: Poberezhets, S.I., та інші
Опубліковано: (2020)

Preparation and electrical properties of composites based on (Cu₆PS₅I)₁₋ₓ(Cu₇PS₆)ₓ mixed crystals
за авторством: Izai, V.Yu., та інші
Опубліковано: (2019)

Peculiarities of the study of Au-Ti-Pd-n⁺-n-n⁺-Si multilayer contact structure to avalanche transit-time diodes
за авторством: Romanets, P.M., та інші
Опубліковано: (2019)

Mechanical properties of Cu₆PS₅І superionic crystals and thin films
за авторством: Bilanych, V.V., та інші
Опубліковано: (2019)

Method for data processing in application to ohmic contacts
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2019)

Key parameters of commercial silicon solar cells with rear metallization
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2019)

Model research of phonon spectra of argyrodites family
за авторством: Nebola, I.I., та інші
Опубліковано: (2018)

Dose dependence of tensoresistance for the symmetrical orientation of the deformation axis relatively to all isoenergetic ellipsoids in γ-irradiated (⁶⁰Co) n-Si crystals
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2018)

Physical mechanisms providing formation of ohmic contacts, metal-semiconductor (Review)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2018)

Condensons and bicondensons in a one-dimensional systems
за авторством: Kashirina, N.I., та інші
Опубліковано: (2018)

Self-organization in irradiated semiconductor crystals caused by thermal annealing
за авторством: Zavada, M., та інші
Опубліковано: (2018)

Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vinoslavskii, M.M., та інші
Опубліковано: (2018)

Inversion of spin levels in exchange-coupled pairs under combined time reversal
за авторством: Geru, I.I.
Опубліковано: (2018)

Synergetics of the instability and randomness in the formation of gradient-modified semiconductor structures
за авторством: Yurkovych, N.V., та інші
Опубліковано: (2018)

Thin dysprosium oxide films formed by rapid thermal annealing on porous SiC substrates
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2018)

Features of electrochemical processes at the boundary p-GaAs-HF water solution
за авторством: Pashchenko, G.A., та інші
Опубліковано: (2018)