Influence of boron doping on the photosensitivity of cubic silicon carbide
Photoelectric properties have been studied for 3С-SiC single crystals obtained by thermal decomposition of methyl trichlorosilane with the addition of boron in the process of growing or using diffusion into intentionally undoped crystals. Boron-doped samples demonstrate the band of photosensitivity...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2019 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2019
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215422 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Influence of boron doping on the photosensitivity of cubic silicon carbide / V.N. Rodionov, V.Ya. Bratus', S.O. Voronov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2019. — Т. 22, № 1. — С. 92-97. — Бібліогр.: 20 назв. — англ. |