Peculiarities of the study of Au-Ti-Pd-n⁺-n-n⁺-Si multilayer contact structure to avalanche transit-time diodes
In this work, the method of electrophysical diagnostics of ohmic contacts to n⁺-n-n⁺ structures for powerful silicon impact ionization avalanche transit-time diodes has been proposed. The specific resistivity of the Au–Ti–Pd–n⁺-n-n⁺-Si contacts and the current-flow mechanism within the temperature r...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2019 |
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2019
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215430 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Peculiarities of the study of Au-Ti-Pd-n⁺-n-n⁺-Si multilayer contact structure to avalanche transit-time diodes / P.M. Romanets, R.V. Konakova, M.S. Boltovets, V.V. Basanets, Ya.Ya. Kudryk, V.S. Slipokurov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2019. — Т. 22, № 1. — С. 34-38. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |