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Peculiarities of the study of Au-Ti-Pd-n⁺-n-n⁺-Si multilayer contact structure to avalanche transit-time diodes

In this work, the method of electrophysical diagnostics of ohmic contacts to n⁺-n-n⁺ structures for powerful silicon impact ionization avalanche transit-time diodes has been proposed. The specific resistivity of the Au–Ti–Pd–n⁺-n-n⁺-Si contacts and the current-flow mechanism within the temperature r...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2019
Hauptverfasser:	Romanets, P.M., Konakova, R.V., Boltovets, M.S., Basanets, V.V., Kudryk, Ya.Ya., Slipokurov, V.S.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2019
Schlagworte:	Semiconductor physics
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215430
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Peculiarities of the study of Au-Ti-Pd-n⁺-n-n⁺-Si multilayer contact structure to avalanche transit-time diodes / P.M. Romanets, R.V. Konakova, M.S. Boltovets, V.V. Basanets, Ya.Ya. Kudryk, V.S. Slipokurov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2019. — Т. 22, № 1. — С. 34-38. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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