Combination of thermionic emission and tunneling mechanisms to analyze the leakage current for 4H-SiC Schottky barrier diodes
A new method to analyze reverse characteristics of a 4H-SiC Schottky barrier diode has been presented in this paper. The model incorporates both the current induced by the tunneling of carriers through the Schottky barrier and that induced by the thermionic emission of carriers across the metal–semi...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2019 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2019
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215432 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Combination of thermionic emission and tunneling mechanisms to analyze the leakage current for 4H-SiC Schottky barrier diodes / A. Latreche // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2019. — Т. 22, № 1. — С. 19-25. — Бібліогр.: 33 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Combination of thermionic emission and tunneling mechanisms to analyze the leakage current in 4H-SiC Schottky barrier diodes
за авторством: A. Latreche
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. Latreche
Опубліковано: (2019)
Conduction mechanisms of the reverse leakage current of β-Ga₂O₃ Schottky barrier diodes
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2019)
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2019)
Conduction mechanisms of the reverse leakage current of β-Ga2O3 Schottky barrier diodes
за авторством: A. Latreche
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. Latreche
Опубліковано: (2019)
Influence of parameters inherent to ohmic contacts on properties of microwave avalanche transit-time diodes
за авторством: Kudryk, Ya.Ya., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Kudryk, Ya.Ya., та інші
Опубліковано: (2019)
Thin dysprosium oxide films formed by rapid thermal annealing on porous SiC substrates
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2018)
Peculiarities of the study of Au-Ti-Pd-n⁺-n-n⁺-Si multilayer contact structure to avalanche transit-time diodes
за авторством: Romanets, P.M., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Romanets, P.M., та інші
Опубліковано: (2019)
Calculation of spin-Hamiltonian constants for extended defects (Vsᵢ-Vc)⁰ (Ky5) in silicon carbide polytype 3C-SiC
за авторством: Shanina, B.D., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Shanina, B.D., та інші
Опубліковано: (2018)
Inversion of spin levels in exchange-coupled pairs under combined time reversal
за авторством: Geru, I.I.
Опубліковано: (2018)
за авторством: Geru, I.I.
Опубліковано: (2018)
Simulation of combined schottky diode
за авторством: Кісельов, Єгор Миколайович
Опубліковано: (2015)
за авторством: Кісельов, Єгор Миколайович
Опубліковано: (2015)
Simulation of combined schottky diode
за авторством: Кісельов, Єгор Миколайович
Опубліковано: (2015)
за авторством: Кісельов, Єгор Миколайович
Опубліковано: (2015)
Simulation of combined Schottky diode
за авторством: Ye. M. Kiselov
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ye. M. Kiselov
Опубліковано: (2013)
Influence of intrinsic point defects and substitutional impurities (Cl, I → S) on the electronic structure of 2H-Sn₂
за авторством: Bletskan, D.I., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Bletskan, D.I., та інші
Опубліковано: (2018)
SiC Schottky-barrier diodes formed with TiBx and ZrBx amorphous layers
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2004)
Model research of phonon spectra of argyrodites family
за авторством: Nebola, I.I., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Nebola, I.I., та інші
Опубліковано: (2018)
Dose dependence of tensoresistance for the symmetrical orientation of the deformation axis relatively to all isoenergetic ellipsoids in γ-irradiated (⁶⁰Co) n-Si crystals
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2018)
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2018)
Physical mechanisms providing formation of ohmic contacts, metal-semiconductor (Review)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2018)
Condensons and bicondensons in a one-dimensional systems
за авторством: Kashirina, N.I., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Kashirina, N.I., та інші
Опубліковано: (2018)
Influence of inter-electron scattering on the form of the non-equilibrium distribution function of band carriers
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2018)
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2018)
Self-organization in irradiated semiconductor crystals caused by thermal annealing
за авторством: Zavada, M., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Zavada, M., та інші
Опубліковано: (2018)
Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vinoslavskii, M.M., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Vinoslavskii, M.M., та інші
Опубліковано: (2018)
The phenomenon of magnetic exchange bias in ferromagnetic nanocomposites grown by electron beam evaporation
за авторством: Radchenko, M.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Radchenko, M.V., та інші
Опубліковано: (2018)
1/f noise and carrier transport mechanisms in InSb p⁺-n junctions
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2018)
Synergetics of the instability and randomness in the formation of gradient-modified semiconductor structures
за авторством: Yurkovych, N.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Yurkovych, N.V., та інші
Опубліковано: (2018)
Nature and kinetics of paramagnetic defects in chitosan induced by beta-irradiation of chitosan
за авторством: Konchits, A.A., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Konchits, A.A., та інші
Опубліковано: (2018)
Diffusion properties of electrons in GaN crystals subjected to electric and magnetic fields
за авторством: Syngaivska, G.I., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Syngaivska, G.I., та інші
Опубліковано: (2018)
Features of electrochemical processes at the boundary p-GaAs-HF water solution
за авторством: Pashchenko, G.A., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Pashchenko, G.A., та інші
Опубліковано: (2018)
Semiconductor surface spectroscopy using transverse acousto-electric effect: Role of surface charge in photo-processes at ZnS/Si interface
за авторством: Tatyanenko, N.P., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Tatyanenko, N.P., та інші
Опубліковано: (2018)
Cyclotron radiation of semiconductor crystals
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2018)
Influence of the mirror image forces on dispersion and phonon acoustic mode width of quasi-Rayleigh wave interacting with the adsorbed atoms
за авторством: Seneta, M.Ya., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Seneta, M.Ya., та інші
Опубліковано: (2018)
Electron and hole effective masses in heavily boron-doped silicon nanostructures determined using cyclotron resonance experiments
за авторством: Savchenko, D.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Savchenko, D.V., та інші
Опубліковано: (2018)
Studying the mechanical properties of (Cu₁₋ₓAgₓ)₇GeS₅I mixed crystals by using the micro-indentation method
за авторством: Bilanych, V.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Bilanych, V.V., та інші
Опубліковано: (2018)
Current-voltage characteristics of the injection photodetector based on M(In)-CdS-Si-M(In) structure
за авторством: Sapaev, I.B., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Sapaev, I.B., та інші
Опубліковано: (2019)
Taking the Coulomb effects into account in the reactions of one-electron charge exchange
за авторством: Lazur, V.Yu., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Lazur, V.Yu., та інші
Опубліковано: (2019)
Effect of ultrasound irradiation on the electro-physical properties of the structure of Al-Al₂O₃-CdTe
за авторством: Uteniyazov, A.K., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Uteniyazov, A.K., та інші
Опубліковано: (2019)
Account of surface contribution to the thermodynamic properties of lead selenide films
за авторством: Nykyruy, L.I., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Nykyruy, L.I., та інші
Опубліковано: (2019)
Transformation of structural defects in semiconductors under the action of electromagnetic and magnetic fields, causing resonant phenomena
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2019)
Synthesis and characterisation of new potassium-containing argyrodite-type compounds
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2019)
Electronic and optical properties of β-HgS
за авторством: Akinlami, J.O., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Akinlami, J.O., та інші
Опубліковано: (2019)
Influence of inter-electron scattering on the form of the non-equilibrium distribution function of band carriers
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2019)
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2019)
Influence of anion substitution on electrical conductivity of composites based on liquid crystal with Cu₆PS₅X (X = I, Br) nanoparticles
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2019)