Effect of the doping method on luminescent properties of ZnS:Ag
The effect of doping the method on the luminescent characteristics of dispersed ZnS doped with Ag has been studied in this work. The analysis of ratio of the intensity of photoluminescence bands related with the centres caused by Ag impurity and the intrinsic defects has led to the conclusion that f...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2019 |
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2019
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215487 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Effect of the doping method on luminescent properties of ZnS:Ag / Yu.Yu. Bacherikov, A.G. Zhuk, O.B. Okhrimenko, E.Yu. Pecherskaya-Gromadskaya, V.V. Kidalov, S.V. Optasyuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2019. — Т. 22, № 3. — С. 361-365. — Бібліогр.: 24 назв. — англ. |