Pseudopotential-based study of electrical transport properties inherent to Bi-Ga alloys
In this paper, we account for the electrical transport properties of Bi-Ga alloys studied theoretically by employing our well-known model pseudopotential. The impact of various screening functions was studied using various exchange and correlation functions in the aforesaid investigation. The obtain...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2019 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2019
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215494 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Pseudopotential-based study of electrical transport properties inherent to Bi-Ga alloys / A.M. Vora // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2019. — Т. 22, № 3. — С. 323-325. — Бібліогр.: 18 назв. — англ. |