Doping the thin films by using the original Close Space Sublimation method
The review is devoted to the results of studies on the structure, morphology, optical, and luminescent properties of thin films doped with the modified Close Space Sublimation method. Using this method, ZnO and ZnS films were doped with impurities of various metals – Ag, Cu, Ga. It has been shown th...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2020 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2020
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215667 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Doping the thin films by using the original Close Space Sublimation method / V.S. Khomchenko, M.V. Sopinskyy, V.A. Dan'ko, G.P. Olkhovik // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2020. — Т. 23, № 1. — С. 5-28. — Бібліогр.: 89 назв. — англ. |