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Shunt current in InAs diffused photodiodes

The shunt current has been investigated in ⁺- type InAs diffused photodiodes. The mesastructures were prepared by etching in Br₂-HBr solution and sequentially etched in CP-4 and in a lactic acid-based etchant. The surface of mesastructures was passivated in an alcohol solution of Na₂S. After each ch...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2020
Hauptverfasser:	Sukach, A.V., Tetyorkin, V.V., Tkachuk, A.I.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2020
Schlagworte:	Sensors
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215708
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Shunt current in InAs diffused photodiodes / A.V. Sukach, V.V. Tetyorkin, A.I. Tkachuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2020. — Т. 23, № 2. — С. 208-213. — Бібліогр.: 23 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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