Effect of different parameters on the carrier mobility in NWTFET
In this paper, we have studied the effect of different parameters on carrier mobility in NWFET devices. Their characteristics have been investigated using the non-equilibrium Green function (NEGF) method. Our work involves the carrier mobility µ as a function of VDS taken from 0.1 V to 1 V for vario...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2020 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2020
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215718 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Effect of different parameters on the carrier mobility in NWTFET / R. Marki, M. Zaabat // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2020. — Т. 23, № 2. — С. 141-145. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Effect of different parameters on the carrier mobility in NWTFET
за авторством: R. Marki, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: R. Marki, та інші
Опубліковано: (2020)
Effective minority carrier lifetime in double-sided macroporous silicon
за авторством: Onyshchenko, V.F., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Onyshchenko, V.F., та інші
Опубліковано: (2020)
1/f noise and carrier transport mechanisms in InSb p⁺-n junctions
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2018)
Influence of inter-electron scattering on the form of the non-equilibrium distribution function of band carriers
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2018)
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2018)
Influence of inter-electron scattering on the form of the non-equilibrium distribution function of band carriers
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2019)
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2019)
Recombination statistics of non-equilibrium carriers in the model of a semiconductor with donor-acceptor pairs possessing variable recombination activity
за авторством: Leyderman, A.Yu., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Leyderman, A.Yu., та інші
Опубліковано: (2020)
Key parameters of commercial silicon solar cells with rear metallization
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2019)
Influence of electrically neutral nickel atoms on electrical and recombination parameters of silicon
за авторством: Bakhadyrkhanov, M.K., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Bakhadyrkhanov, M.K., та інші
Опубліковано: (2020)
Influence of parameters inherent to ohmic contacts on properties of microwave avalanche transit-time diodes
за авторством: Kudryk, Ya.Ya., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Kudryk, Ya.Ya., та інші
Опубліковано: (2019)
Effect of the diffusion temperature on the interaction of clusters with impurity atoms in silicon
за авторством: Saparniyazova, Z.M., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Saparniyazova, Z.M., та інші
Опубліковано: (2021)
Taking the Coulomb effects into account in the reactions of one-electron charge exchange
за авторством: Lazur, V.Yu., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Lazur, V.Yu., та інші
Опубліковано: (2019)
Thermal annealing ambiance effect on phosphorus passivation and reactivation mechanisms in silicon-based Schottky diodes hydrogenated by MW-ECR plasma
за авторством: Belfennache, D., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Belfennache, D., та інші
Опубліковано: (2021)
Electron and hole effective masses in heavily boron-doped silicon nanostructures determined using cyclotron resonance experiments
за авторством: Savchenko, D.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Savchenko, D.V., та інші
Опубліковано: (2018)
Effect of ultrasound irradiation on the electro-physical properties of the structure of Al-Al₂O₃-CdTe
за авторством: Uteniyazov, A.K., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Uteniyazov, A.K., та інші
Опубліковано: (2019)
Semiconductor surface spectroscopy using transverse acousto-electric effect: Role of surface charge in photo-processes at ZnS/Si interface
за авторством: Tatyanenko, N.P., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Tatyanenko, N.P., та інші
Опубліковано: (2018)
Determination of the temperature dependence of electron effective mass in 4H-SiC from reverse current-voltage characteristics of 4H-SiC Schottky barrier diodes
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2020)
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2020)
Influence of the mirror image forces on dispersion and phonon acoustic mode width of quasi-Rayleigh wave interacting with the adsorbed atoms
за авторством: Seneta, M.Ya., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Seneta, M.Ya., та інші
Опубліковано: (2018)
Non-recombination injection mode
за авторством: Leyderman, A.Yu., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Leyderman, A.Yu., та інші
Опубліковано: (2021)
Changes in impurity radiative recombination and surface morphology induced by the treatment of GaP in a weak magnetic field
за авторством: Redko, R.A., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Redko, R.A., та інші
Опубліковано: (2020)
Transformation of defects in semiconductor structures under the influence of microwave electromagnetic radiation, which is stimulated by drift phenomena
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2020)
Influence of the near-surface regions of the space charge in semiconductor crystals on defect transformation stimulated by the action of magnetic fields
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2021)
Peculiarities of the study of Au-Ti-Pd-n⁺-n-n⁺-Si multilayer contact structure to avalanche transit-time diodes
за авторством: Romanets, P.M., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Romanets, P.M., та інші
Опубліковано: (2019)
Transformation of structural defects in semiconductors under the action of electromagnetic and magnetic fields, causing resonant phenomena
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2019)
Features of current transport in Al–Al₂O₃–-CdTe–Mo structure
за авторством: Uteniyazov, A.K., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Uteniyazov, A.K., та інші
Опубліковано: (2020)
Account of surface contribution to the thermodynamic properties of lead selenide films
за авторством: Nykyruy, L.I., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Nykyruy, L.I., та інші
Опубліковано: (2019)
Dynamics of the conductance temperature dependence for a composite based on linear polyethylene with impurity of soot and calcite
за авторством: Poberezhets, S.I., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Poberezhets, S.I., та інші
Опубліковано: (2019)
Thin dysprosium oxide films formed by rapid thermal annealing on porous SiC substrates
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2018)
Comparative characteristics of TiO₂(Er₂O₃, Dy₂O₃)/por-SiC/SiC heterostructures (Review)
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2020)
Physical mechanisms providing formation of ohmic contacts, metal-semiconductor (Review)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2018)
Method for data processing in application to ohmic contacts
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2019)
Cyclotron radiation of semiconductor crystals
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2018)
Elastic properties of CdTe₁₋ₓSeₓ (x = 1/16) solid solution: First principles study
за авторством: Ilchuk, H.A., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Ilchuk, H.A., та інші
Опубліковано: (2020)
Features of structural changes in mosaic Ge:Sb according to X-ray diffractometry and electron backscatter diffraction data
за авторством: Borcha, M.D., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Borcha, M.D., та інші
Опубліковано: (2019)
Synthesis and characterisation of new potassium-containing argyrodite-type compounds
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2019)
Conversion of Lagenaria Siceraria peel to reduced graphene oxide doped with zinc oxide nanoparticles for supercapacitor applications
за авторством: Pratheepa, M.I., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Pratheepa, M.I., та інші
Опубліковано: (2021)
Nanostructured SiC as a promising material for the cold electron emitters
за авторством: Goriachko, A.M., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Goriachko, A.M., та інші
Опубліковано: (2021)
Study of structural, electrical, and optical properties of MoRe₀.₀₀₁Se₁.₉₉₉ single crystal
за авторством: Vora, A.M.
Опубліковано: (2020)
за авторством: Vora, A.M.
Опубліковано: (2020)
Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vinoslavskii, M.M., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Vinoslavskii, M.M., та інші
Опубліковано: (2018)
Preparation and electrical properties of composites based on (Cu₆PS₅I)₁₋ₓ(Cu₇PS₆)ₓ mixed crystals
за авторством: Izai, V.Yu., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Izai, V.Yu., та інші
Опубліковано: (2019)
Formation of complexes consisting of impurity Mn atoms and group VI elements in the crystal lattice of silicon
за авторством: Ismailov, K.А., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Ismailov, K.А., та інші
Опубліковано: (2021)