Changes in impurity radiative recombination and surface morphology induced by the treatment of GaP in a weak magnetic field

• Published in: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Date: 2020
• Main Authors: Redko, R.A., Milenin, G.V., Milenin, V.V., Redko, S.M.
• Format: Article
• Language: English
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2020
• Subjects: Semiconductor Physics
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215852
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Changes in impurity radiative recombination and surface morphology induced by the treatment of GaP in a weak magnetic field / R.A. Redko, G.V. Milenin, V.V. Milenin, S.M. Redko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2020. — Т. 23, № 3. — С. 302-307. — Бібліогр.: 25 назв. — англ.

In this work, the results of studying the long-term changes in the intensity of photoluminescence bands and surface morphology of gallium phosphide caused by treatment in weak magnetic fields have been presented. A non-thermal mechanism based on the idea of defect transformation due to the random events related to defect subsystem modification has been proposed. The radiation power of electromagnetic waves emitted by electrons in the studied semiconductor has been estimated. Fitted parameters for the longterm transformation intensity of photoluminescence and diffusion factor for appearing defects have been calculated. У цій роботі наведено результати вивчення довготривалих змін інтенсивності смуг фотолюмінесценції та поверхневої морфології фосфіду галію, спричинених обробкою в слабких магнітних полях. Запропоновано нетепловий механізм, що базується на ідеї перетворення дефектів внаслідок випадкових подій, пов’язаних з модифікацією дефектів підсистеми. Оцінено потужність випромінювання електромагнітних хвиль, збуджених рухом електронів у досліджуваному напівпровіднику. Розраховано емпіричні параметри для довготривалої трансформації інтенсивності фотолюмінесценції та коефіцієнти дифузії для дефектів, які з’являються.