Changes in impurity radiative recombination and surface morphology induced by the treatment of GaP in a weak magnetic field

In this work, the results of studying the long-term changes in the intensity of photoluminescence bands and surface morphology of gallium phosphide caused by treatment in weak magnetic fields have been presented. A non-thermal mechanism based on the idea of defect transformation due to the random ev...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:2020
Hauptverfasser: Redko, R.A., Milenin, G.V., Milenin, V.V., Redko, S.M.
Format: Artikel
Sprache:Englisch
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2020
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215852
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Changes in impurity radiative recombination and surface morphology induced by the treatment of GaP in a weak magnetic field / R.A. Redko, G.V. Milenin, V.V. Milenin, S.M. Redko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2020. — Т. 23, № 3. — С. 302-307. — Бібліогр.: 25 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862728540606169088
author Redko, R.A.
Milenin, G.V.
Milenin, V.V.
Redko, S.M.
author_facet Redko, R.A.
Milenin, G.V.
Milenin, V.V.
Redko, S.M.
citation_txt Changes in impurity radiative recombination and surface morphology induced by the treatment of GaP in a weak magnetic field / R.A. Redko, G.V. Milenin, V.V. Milenin, S.M. Redko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2020. — Т. 23, № 3. — С. 302-307. — Бібліогр.: 25 назв. — англ.
collection DSpace DC
container_title Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
description In this work, the results of studying the long-term changes in the intensity of photoluminescence bands and surface morphology of gallium phosphide caused by treatment in weak magnetic fields have been presented. A non-thermal mechanism based on the idea of defect transformation due to the random events related to defect subsystem modification has been proposed. The radiation power of electromagnetic waves emitted by electrons in the studied semiconductor has been estimated. Fitted parameters for the longterm transformation intensity of photoluminescence and diffusion factor for appearing defects have been calculated. У цій роботі наведено результати вивчення довготривалих змін інтенсивності смуг фотолюмінесценції та поверхневої морфології фосфіду галію, спричинених обробкою в слабких магнітних полях. Запропоновано нетепловий механізм, що базується на ідеї перетворення дефектів внаслідок випадкових подій, пов’язаних з модифікацією дефектів підсистеми. Оцінено потужність випромінювання електромагнітних хвиль, збуджених рухом електронів у досліджуваному напівпровіднику. Розраховано емпіричні параметри для довготривалої трансформації інтенсивності фотолюмінесценції та коефіцієнти дифузії для дефектів, які з’являються.
first_indexed 2026-04-17T14:32:47Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-215852
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 1560-8034
language English
last_indexed 2026-04-17T14:32:47Z
publishDate 2020
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
record_format dspace
spelling Redko, R.A.
Milenin, G.V.
Milenin, V.V.
Redko, S.M.
2026-03-30T13:35:44Z
2020
Changes in impurity radiative recombination and surface morphology induced by the treatment of GaP in a weak magnetic field / R.A. Redko, G.V. Milenin, V.V. Milenin, S.M. Redko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2020. — Т. 23, № 3. — С. 302-307. — Бібліогр.: 25 назв. — англ.
1560-8034
PACS: 05.40.-a, 41.20.-q, 61.72.jn, 61.72.Hh, 78.55.Cr, 78.70.Gq, 81.40.Wx
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215852
https://doi.org/10.15407/spqeo23.03.302
In this work, the results of studying the long-term changes in the intensity of photoluminescence bands and surface morphology of gallium phosphide caused by treatment in weak magnetic fields have been presented. A non-thermal mechanism based on the idea of defect transformation due to the random events related to defect subsystem modification has been proposed. The radiation power of electromagnetic waves emitted by electrons in the studied semiconductor has been estimated. Fitted parameters for the longterm transformation intensity of photoluminescence and diffusion factor for appearing defects have been calculated.
У цій роботі наведено результати вивчення довготривалих змін інтенсивності смуг фотолюмінесценції та поверхневої морфології фосфіду галію, спричинених обробкою в слабких магнітних полях. Запропоновано нетепловий механізм, що базується на ідеї перетворення дефектів внаслідок випадкових подій, пов’язаних з модифікацією дефектів підсистеми. Оцінено потужність випромінювання електромагнітних хвиль, збуджених рухом електронів у досліджуваному напівпровіднику. Розраховано емпіричні параметри для довготривалої трансформації інтенсивності фотолюмінесценції та коефіцієнти дифузії для дефектів, які з’являються.
en
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Semiconductor Physics
Changes in impurity radiative recombination and surface morphology induced by the treatment of GaP in a weak magnetic field
Зміни домішкової випромінювальної рекомбінації та морфології поверхні, викликані обробкою GaP у слабкому магнітному полі
Article
published earlier
spellingShingle Changes in impurity radiative recombination and surface morphology induced by the treatment of GaP in a weak magnetic field
Redko, R.A.
Milenin, G.V.
Milenin, V.V.
Redko, S.M.
Semiconductor Physics
title Changes in impurity radiative recombination and surface morphology induced by the treatment of GaP in a weak magnetic field
title_alt Зміни домішкової випромінювальної рекомбінації та морфології поверхні, викликані обробкою GaP у слабкому магнітному полі
title_full Changes in impurity radiative recombination and surface morphology induced by the treatment of GaP in a weak magnetic field
title_fullStr Changes in impurity radiative recombination and surface morphology induced by the treatment of GaP in a weak magnetic field
title_full_unstemmed Changes in impurity radiative recombination and surface morphology induced by the treatment of GaP in a weak magnetic field
title_short Changes in impurity radiative recombination and surface morphology induced by the treatment of GaP in a weak magnetic field
title_sort changes in impurity radiative recombination and surface morphology induced by the treatment of gap in a weak magnetic field
topic Semiconductor Physics
topic_facet Semiconductor Physics
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215852
work_keys_str_mv AT redkora changesinimpurityradiativerecombinationandsurfacemorphologyinducedbythetreatmentofgapinaweakmagneticfield
AT mileningv changesinimpurityradiativerecombinationandsurfacemorphologyinducedbythetreatmentofgapinaweakmagneticfield
AT mileninvv changesinimpurityradiativerecombinationandsurfacemorphologyinducedbythetreatmentofgapinaweakmagneticfield
AT redkosm changesinimpurityradiativerecombinationandsurfacemorphologyinducedbythetreatmentofgapinaweakmagneticfield
AT redkora zmínidomíškovoívipromínûvalʹnoírekombínacíítamorfologíípoverhníviklikaníobrobkoûgapuslabkomumagnítnomupolí
AT mileningv zmínidomíškovoívipromínûvalʹnoírekombínacíítamorfologíípoverhníviklikaníobrobkoûgapuslabkomumagnítnomupolí
AT mileninvv zmínidomíškovoívipromínûvalʹnoírekombínacíítamorfologíípoverhníviklikaníobrobkoûgapuslabkomumagnítnomupolí
AT redkosm zmínidomíškovoívipromínûvalʹnoírekombínacíítamorfologíípoverhníviklikaníobrobkoûgapuslabkomumagnítnomupolí