Determination of crystallization conditions of Ge/GaAs heterostructures in the scanning LPE method
We carried out the modelling of separate technological stages of scanning liquid phase epitaxy (SLPE) technique: wetting the substrate by the solution-melt using Ampere force, growing the epitaxial layer during a short-time contact between the substrate and solution-melt, and removing the solution-m...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2020 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2020
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215853 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Determination of crystallization conditions of Ge/GaAs heterostructures in the scanning LPE method / V.V. Tsybulenko, S.V. Shutov, S.Yu. Yerochin // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2020. — Т. 23, № 3. — С. 294-301. — Бібліогр.: 23 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineБудьте першим, хто залишить коментар!