Comparative characteristics of TiO₂(Er₂O₃, Dy₂O₃)/por-SiC/SiC heterostructures (Review)
In this work, comparative characteristics of thin oxide films (OF) of titanium, erbium, and dysprosium formed on silicon carbide substrates in the presence and absence of a porous silicon carbide (por-SiC) layer have been considered. It has been shown that regardless of the presence of a porous buff...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2020 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2020
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215860 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Comparative characteristics of TiO₂(Er₂O₃, Dy₂O₃)/por-SiC/SiC heterostructures (Review) / Yu.Yu. Bacherikov, R.V. Konakova, O.B. Okhrimenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2020. — Т. 23, № 3. — С. 253-259. — Бібліогр.: 29 назв. — англ. |