Comparative characteristics of TiO₂(Er₂O₃, Dy₂O₃)/por-SiC/SiC heterostructures (Review)

• Опубліковано в: : Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Дата: 2020
• Автори: Bacherikov, Yu.Yu., Konakova, R.V., Okhrimenko, O.B.
• Формат: Стаття
• Мова: Англійська
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2020
• Теми: Semiconductor Physics
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215860
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Comparative characteristics of TiO₂(Er₂O₃, Dy₂O₃)/por-SiC/SiC heterostructures (Review) / Yu.Yu. Bacherikov, R.V. Konakova, O.B. Okhrimenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2020. — Т. 23, № 3. — С. 253-259. — Бібліогр.: 29 назв. — англ.

In this work, comparative characteristics of thin oxide films (OF) of titanium, erbium, and dysprosium formed on silicon carbide substrates in the presence and absence of a porous silicon carbide (por-SiC) layer have been considered. It has been shown that regardless of the presence of a porous buffer layer in the TiO₂(Er₂O₃, Dy₂O₃)/por-SiC/SiC and TiO₂(Er₂O₃, Dy₂O₃)/SiC structures, oxide layers of the approximately equal thickness are formed, and quality of the interface in OF/SiC structures is higher than that in the OF/por-SiC/SiC structures. An increase in the time and temperature of rapid thermal annealing makes it possible to improve the quality of the oxide film/substrate interface regardless of the presence of a porous buffer layer in the structure. In this case, the narrowest interface “oxide film/buffer porous layer/substrate” is observed for the TiO₂/por-SiC/SiC structures. The TiO₂/por-SiC/SiC structures are most sensitive to changes in the parameters of rapid thermal annealing, and the Er₂O₃/por-SiC/SiC structures are the most stable. У даній роботі розглянуто порівняльні характеристики тонких оксидних плівок (OF) титану, ербію та диспрозію, сформованих на підкладках карбіду кремнію при наявності та відсутності пористого шару por-SiC. Показано, що незалежно від наявності буферного пористого шару в структурах TiO₂(Er₂O₃, Dy₂O₃)/por-SiC/SiC та TiO₂(Er₂O₃, Dy₂O₃)/SiC формуються оксидні шари приблизно однакової товщини, а якість межі поділу в структурах OF/SiC вища, ніж у структурах OF/por-SiC/SiC. Збільшення часу і температури швидкого термічного відпалу дозволяє поліпшити якість межі поділу оксидна плівка/підкладка незалежно від наявності в структурі пористого буферного шару. При цьому найбільш вузька межа поділу оксидна плівка/буферний пористий шар/підкладка спостерігається у структурах TiO₂/por-SiC/SiC. Найбільш чутливими до зміни параметрів швидкого термічного відпалу є структури TiO₂/por-SiC/SiC, а найбільш стійкими – структури Er₂O₃/por-SiC/SiC.