Comparative characteristics of TiO₂(Er₂O₃, Dy₂O₃)/por-SiC/SiC heterostructures (Review)
In this work, comparative characteristics of thin oxide films (OF) of titanium, erbium, and dysprosium formed on silicon carbide substrates in the presence and absence of a porous silicon carbide (por-SiC) layer have been considered. It has been shown that regardless of the presence of a porous buff...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Datum: | 2020 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2020
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215860 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Comparative characteristics of TiO₂(Er₂O₃, Dy₂O₃)/por-SiC/SiC heterostructures (Review) / Yu.Yu. Bacherikov, R.V. Konakova, O.B. Okhrimenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2020. — Т. 23, № 3. — С. 253-259. — Бібліогр.: 29 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862714164804321280 |
|---|---|
| author | Bacherikov, Yu.Yu. Konakova, R.V. Okhrimenko, O.B. |
| author_facet | Bacherikov, Yu.Yu. Konakova, R.V. Okhrimenko, O.B. |
| citation_txt | Comparative characteristics of TiO₂(Er₂O₃, Dy₂O₃)/por-SiC/SiC heterostructures (Review) / Yu.Yu. Bacherikov, R.V. Konakova, O.B. Okhrimenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2020. — Т. 23, № 3. — С. 253-259. — Бібліогр.: 29 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| description | In this work, comparative characteristics of thin oxide films (OF) of titanium, erbium, and dysprosium formed on silicon carbide substrates in the presence and absence of a porous silicon carbide (por-SiC) layer have been considered. It has been shown that regardless of the presence of a porous buffer layer in the TiO₂(Er₂O₃, Dy₂O₃)/por-SiC/SiC and TiO₂(Er₂O₃, Dy₂O₃)/SiC structures, oxide layers of the approximately equal thickness are formed, and quality of the interface in OF/SiC structures is higher than that in the OF/por-SiC/SiC structures. An increase in the time and temperature of rapid thermal annealing makes it possible to improve the quality of the oxide film/substrate interface regardless of the presence of a porous buffer layer in the structure. In this case, the narrowest interface “oxide film/buffer porous layer/substrate” is observed for the TiO₂/por-SiC/SiC structures. The TiO₂/por-SiC/SiC structures are most sensitive to changes in the parameters of rapid thermal annealing, and the Er₂O₃/por-SiC/SiC structures are the most stable.
У даній роботі розглянуто порівняльні характеристики тонких оксидних плівок (OF) титану, ербію та диспрозію, сформованих на підкладках карбіду кремнію при наявності та відсутності пористого шару por-SiC. Показано, що незалежно від наявності буферного пористого шару в структурах TiO₂(Er₂O₃, Dy₂O₃)/por-SiC/SiC та TiO₂(Er₂O₃, Dy₂O₃)/SiC формуються оксидні шари приблизно однакової товщини, а якість межі поділу в структурах OF/SiC вища, ніж у структурах OF/por-SiC/SiC. Збільшення часу і температури швидкого термічного відпалу дозволяє поліпшити якість межі поділу оксидна плівка/підкладка незалежно від наявності в структурі пористого буферного шару. При цьому найбільш вузька межа поділу оксидна плівка/буферний пористий шар/підкладка спостерігається у структурах TiO₂/por-SiC/SiC. Найбільш чутливими до зміни параметрів швидкого термічного відпалу є структури TiO₂/por-SiC/SiC, а найбільш стійкими – структури Er₂O₃/por-SiC/SiC.
|
| first_indexed | 2026-04-17T10:44:17Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-215860 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1560-8034 |
| language | English |
| last_indexed | 2026-04-17T10:44:17Z |
| publishDate | 2020 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Bacherikov, Yu.Yu. Konakova, R.V. Okhrimenko, O.B. 2026-03-30T13:37:46Z 2020 Comparative characteristics of TiO₂(Er₂O₃, Dy₂O₃)/por-SiC/SiC heterostructures (Review) / Yu.Yu. Bacherikov, R.V. Konakova, O.B. Okhrimenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2020. — Т. 23, № 3. — С. 253-259. — Бібліогр.: 29 назв. — англ. 1560-8034 PACS: 78.20.-e, 77.55.-g, 78.55.Qr, 81.15.-z, 78.40.Pg https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215860 https://doi.org/10.15407/spqeo23.03.253 In this work, comparative characteristics of thin oxide films (OF) of titanium, erbium, and dysprosium formed on silicon carbide substrates in the presence and absence of a porous silicon carbide (por-SiC) layer have been considered. It has been shown that regardless of the presence of a porous buffer layer in the TiO₂(Er₂O₃, Dy₂O₃)/por-SiC/SiC and TiO₂(Er₂O₃, Dy₂O₃)/SiC structures, oxide layers of the approximately equal thickness are formed, and quality of the interface in OF/SiC structures is higher than that in the OF/por-SiC/SiC structures. An increase in the time and temperature of rapid thermal annealing makes it possible to improve the quality of the oxide film/substrate interface regardless of the presence of a porous buffer layer in the structure. In this case, the narrowest interface “oxide film/buffer porous layer/substrate” is observed for the TiO₂/por-SiC/SiC structures. The TiO₂/por-SiC/SiC structures are most sensitive to changes in the parameters of rapid thermal annealing, and the Er₂O₃/por-SiC/SiC structures are the most stable. У даній роботі розглянуто порівняльні характеристики тонких оксидних плівок (OF) титану, ербію та диспрозію, сформованих на підкладках карбіду кремнію при наявності та відсутності пористого шару por-SiC. Показано, що незалежно від наявності буферного пористого шару в структурах TiO₂(Er₂O₃, Dy₂O₃)/por-SiC/SiC та TiO₂(Er₂O₃, Dy₂O₃)/SiC формуються оксидні шари приблизно однакової товщини, а якість межі поділу в структурах OF/SiC вища, ніж у структурах OF/por-SiC/SiC. Збільшення часу і температури швидкого термічного відпалу дозволяє поліпшити якість межі поділу оксидна плівка/підкладка незалежно від наявності в структурі пористого буферного шару. При цьому найбільш вузька межа поділу оксидна плівка/буферний пористий шар/підкладка спостерігається у структурах TiO₂/por-SiC/SiC. Найбільш чутливими до зміни параметрів швидкого термічного відпалу є структури TiO₂/por-SiC/SiC, а найбільш стійкими – структури Er₂O₃/por-SiC/SiC. en Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics Semiconductor Physics Comparative characteristics of TiO₂(Er₂O₃, Dy₂O₃)/por-SiC/SiC heterostructures (Review) Порівняльні характеристики гетероструктур TiO₂(Er₂O₃, Dy₂O₃)/por-SiC/SiC (Огляд) Article published earlier |
| spellingShingle | Comparative characteristics of TiO₂(Er₂O₃, Dy₂O₃)/por-SiC/SiC heterostructures (Review) Bacherikov, Yu.Yu. Konakova, R.V. Okhrimenko, O.B. Semiconductor Physics |
| title | Comparative characteristics of TiO₂(Er₂O₃, Dy₂O₃)/por-SiC/SiC heterostructures (Review) |
| title_alt | Порівняльні характеристики гетероструктур TiO₂(Er₂O₃, Dy₂O₃)/por-SiC/SiC (Огляд) |
| title_full | Comparative characteristics of TiO₂(Er₂O₃, Dy₂O₃)/por-SiC/SiC heterostructures (Review) |
| title_fullStr | Comparative characteristics of TiO₂(Er₂O₃, Dy₂O₃)/por-SiC/SiC heterostructures (Review) |
| title_full_unstemmed | Comparative characteristics of TiO₂(Er₂O₃, Dy₂O₃)/por-SiC/SiC heterostructures (Review) |
| title_short | Comparative characteristics of TiO₂(Er₂O₃, Dy₂O₃)/por-SiC/SiC heterostructures (Review) |
| title_sort | comparative characteristics of tio₂(er₂o₃, dy₂o₃)/por-sic/sic heterostructures (review) |
| topic | Semiconductor Physics |
| topic_facet | Semiconductor Physics |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215860 |
| work_keys_str_mv | AT bacherikovyuyu comparativecharacteristicsoftio2er2o3dy2o3porsicsicheterostructuresreview AT konakovarv comparativecharacteristicsoftio2er2o3dy2o3porsicsicheterostructuresreview AT okhrimenkoob comparativecharacteristicsoftio2er2o3dy2o3porsicsicheterostructuresreview AT bacherikovyuyu porívnâlʹníharakteristikigeterostrukturtio2er2o3dy2o3porsicsicoglâd AT konakovarv porívnâlʹníharakteristikigeterostrukturtio2er2o3dy2o3porsicsicoglâd AT okhrimenkoob porívnâlʹníharakteristikigeterostrukturtio2er2o3dy2o3porsicsicoglâd |