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Comparative characteristics of TiO₂(Er₂O₃, Dy₂O₃)/por-SiC/SiC heterostructures (Review)

In this work, comparative characteristics of thin oxide films (OF) of titanium, erbium, and dysprosium formed on silicon carbide substrates in the presence and absence of a porous silicon carbide (por-SiC) layer have been considered. It has been shown that regardless of the presence of a porous buff...

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Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2020
ISSN:	1560-8034
Hauptverfasser:	Bacherikov, Yu.Yu., Konakova, R.V., Okhrimenko, O.B.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2020
Schlagworte:	Semiconductor Physics
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215860
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Comparative characteristics of TiO₂(Er₂O₃, Dy₂O₃)/por-SiC/SiC heterostructures (Review) / Yu.Yu. Bacherikov, R.V. Konakova, O.B. Okhrimenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2020. — Т. 23, № 3. — С. 253-259. — Бібліогр.: 29 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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