Investigation of Ge p-i-n photodetector as a part of pulsed laser rangefinder prototype
The process of diffusion method for production of high-speed Ge p-i-n photodiodes for a laser rangefinder with a maximum photosensitivity at the wavelength 1.54 μm and a new passivating layer of ZnSe is described. Theoretical modeling of the rangefinder operation in real conditions was performed to...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2021 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2021
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/216091 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Investigation of Ge p-i-n photodetector as a part of pulsed laser rangefinder prototype / A.V. Fedorenko, I.O. Vorona, V.P. Maslov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2021. — Т. 24, № 1. — С. 100-104. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |