Investigation of Ge p-i-n photodetector as a part of pulsed laser rangefinder prototype

The process of diffusion method for production of high-speed Ge p-i-n photodiodes for a laser rangefinder with a maximum photosensitivity at the wavelength 1.54 μm and a new passivating layer of ZnSe is described. Theoretical modeling of the rangefinder operation in real conditions was performed to...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:2021
Автори: Fedorenko, A.V., Vorona, I.O., Maslov, V.P.
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2021
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/216091
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Investigation of Ge p-i-n photodetector as a part of pulsed laser rangefinder prototype / A.V. Fedorenko, I.O. Vorona, V.P. Maslov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2021. — Т. 24, № 1. — С. 100-104. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:The process of diffusion method for production of high-speed Ge p-i-n photodiodes for a laser rangefinder with a maximum photosensitivity at the wavelength 1.54 μm and a new passivating layer of ZnSe is described. Theoretical modeling of the rangefinder operation in real conditions was performed to determine the requirements for the sensitivity of the photodetector. The threshold sensitivity of the split photodetector as a part of the model of the laser rangefinder was experimentally investigated. The correspondence between the calculated values and the sensitivity of the photodetector was ascertained, which allowed us to draw the conclusion about the possibility of its application as a part of a laser rangefinder. Описано процес виготовлення дифузійним методом швидкодіючих Ge p-i-n фотодіодів для лазерного далекоміра з максимумом фоточутливості на довжині хвилі 1,54 мкм та новим пасивуючим шаром ZnSe. Проведено теоретичне моделювання роботи далекоміра в реальних умовах для визначення вимог до чутливості фотоприймача. Експериментально досліджено порогову чутливість розробленого фотоприймача в складі макета лазерного далекоміра. Встановлено відповідність між розрахованими значеннями та чутливістю фотоприймача, що дозволило зробити висновок про можливість його застосування в складі лазерного далекоміра.
ISSN:1560-8034