Investigation of Ge p-i-n photodetector as a part of pulsed laser rangefinder prototype
The process of diffusion method for production of high-speed Ge p-i-n photodiodes for a laser rangefinder with a maximum photosensitivity at the wavelength 1.54 μm and a new passivating layer of ZnSe is described. Theoretical modeling of the rangefinder operation in real conditions was performed to...
Saved in:
| Published in: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Date: | 2021 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2021
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/216091 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Investigation of Ge p-i-n photodetector as a part of pulsed laser rangefinder prototype / A.V. Fedorenko, I.O. Vorona, V.P. Maslov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2021. — Т. 24, № 1. — С. 100-104. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862588883098664960 |
|---|---|
| author | Fedorenko, A.V. Vorona, I.O. Maslov, V.P. |
| author_facet | Fedorenko, A.V. Vorona, I.O. Maslov, V.P. |
| citation_txt | Investigation of Ge p-i-n photodetector as a part of pulsed laser rangefinder prototype / A.V. Fedorenko, I.O. Vorona, V.P. Maslov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2021. — Т. 24, № 1. — С. 100-104. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| description | The process of diffusion method for production of high-speed Ge p-i-n photodiodes for a laser rangefinder with a maximum photosensitivity at the wavelength 1.54 μm and a new passivating layer of ZnSe is described. Theoretical modeling of the rangefinder operation in real conditions was performed to determine the requirements for the sensitivity of the photodetector. The threshold sensitivity of the split photodetector as a part of the model of the laser rangefinder was experimentally investigated. The correspondence between the calculated values and the sensitivity of the photodetector was ascertained, which allowed us to draw the conclusion about the possibility of its application as a part of a laser rangefinder.
Описано процес виготовлення дифузійним методом швидкодіючих Ge p-i-n фотодіодів для лазерного далекоміра з максимумом фоточутливості на довжині хвилі 1,54 мкм та новим пасивуючим шаром ZnSe. Проведено теоретичне моделювання роботи далекоміра в реальних умовах для визначення вимог до чутливості фотоприймача. Експериментально досліджено порогову чутливість розробленого фотоприймача в складі макета лазерного далекоміра. Встановлено відповідність між розрахованими значеннями та чутливістю фотоприймача, що дозволило зробити висновок про можливість його застосування в складі лазерного далекоміра.
|
| first_indexed | 2026-04-16T01:32:59Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-216091 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1560-8034 |
| language | English |
| last_indexed | 2026-04-16T01:32:59Z |
| publishDate | 2021 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Fedorenko, A.V. Vorona, I.O. Maslov, V.P. 2026-04-06T08:43:57Z 2021 Investigation of Ge p-i-n photodetector as a part of pulsed laser rangefinder prototype / A.V. Fedorenko, I.O. Vorona, V.P. Maslov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2021. — Т. 24, № 1. — С. 100-104. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. 1560-8034 PACS: 85.60.Dw, 42.79.Qx https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/216091 https://doi.org/10.15407/spqeo24.01.100 The process of diffusion method for production of high-speed Ge p-i-n photodiodes for a laser rangefinder with a maximum photosensitivity at the wavelength 1.54 μm and a new passivating layer of ZnSe is described. Theoretical modeling of the rangefinder operation in real conditions was performed to determine the requirements for the sensitivity of the photodetector. The threshold sensitivity of the split photodetector as a part of the model of the laser rangefinder was experimentally investigated. The correspondence between the calculated values and the sensitivity of the photodetector was ascertained, which allowed us to draw the conclusion about the possibility of its application as a part of a laser rangefinder. Описано процес виготовлення дифузійним методом швидкодіючих Ge p-i-n фотодіодів для лазерного далекоміра з максимумом фоточутливості на довжині хвилі 1,54 мкм та новим пасивуючим шаром ZnSe. Проведено теоретичне моделювання роботи далекоміра в реальних умовах для визначення вимог до чутливості фотоприймача. Експериментально досліджено порогову чутливість розробленого фотоприймача в складі макета лазерного далекоміра. Встановлено відповідність між розрахованими значеннями та чутливістю фотоприймача, що дозволило зробити висновок про можливість його застосування в складі лазерного далекоміра. en Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics Optoelectronics and optoelectronic devices Investigation of Ge p-i-n photodetector as a part of pulsed laser rangefinder prototype Дослідження Ge p-i-n фотоприймача в складі макета імпульсу лазерного далекоміра Article published earlier |
| spellingShingle | Investigation of Ge p-i-n photodetector as a part of pulsed laser rangefinder prototype Fedorenko, A.V. Vorona, I.O. Maslov, V.P. Optoelectronics and optoelectronic devices |
| title | Investigation of Ge p-i-n photodetector as a part of pulsed laser rangefinder prototype |
| title_alt | Дослідження Ge p-i-n фотоприймача в складі макета імпульсу лазерного далекоміра |
| title_full | Investigation of Ge p-i-n photodetector as a part of pulsed laser rangefinder prototype |
| title_fullStr | Investigation of Ge p-i-n photodetector as a part of pulsed laser rangefinder prototype |
| title_full_unstemmed | Investigation of Ge p-i-n photodetector as a part of pulsed laser rangefinder prototype |
| title_short | Investigation of Ge p-i-n photodetector as a part of pulsed laser rangefinder prototype |
| title_sort | investigation of ge p-i-n photodetector as a part of pulsed laser rangefinder prototype |
| topic | Optoelectronics and optoelectronic devices |
| topic_facet | Optoelectronics and optoelectronic devices |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/216091 |
| work_keys_str_mv | AT fedorenkoav investigationofgepinphotodetectorasapartofpulsedlaserrangefinderprototype AT voronaio investigationofgepinphotodetectorasapartofpulsedlaserrangefinderprototype AT maslovvp investigationofgepinphotodetectorasapartofpulsedlaserrangefinderprototype AT fedorenkoav doslídžennâgepinfotopriimačavskladímaketaímpulʹsulazernogodalekomíra AT voronaio doslídžennâgepinfotopriimačavskladímaketaímpulʹsulazernogodalekomíra AT maslovvp doslídžennâgepinfotopriimačavskladímaketaímpulʹsulazernogodalekomíra |